中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许谢慧娜获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利检测结构及其形成方法、检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011330890.4，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权检测结构及其形成方法、检测方法是由许谢慧娜设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本检测结构及其形成方法、检测方法在说明书摘要公布了：一种检测结构及其形成方法、检测方法，包括：衬底，衬底包括测试区，测试区包括若干第一有源区；位于若干第一有源区上的第一栅极结构和第二栅极结构；位于第一有源区内的第一源漏掺杂层、第二源漏掺杂层和第三源漏掺杂层；位于第一源漏掺杂层上的第一导电结构；位于第三源漏掺杂层上的第三导电结构。通过在第一导电结构和第一栅极结构上加第一电压；在第三导电结构和衬底上加第二电压，第二电压小于第一电压。在第一栅极结构和第二栅极结构发生短接时，第一栅极结构上加的第一电压也会等效加于第二栅极结构上，第一源漏掺杂层和第三源漏掺杂层之间连通，此时会在第三导电结构上检测到电流，进而判断出第一栅极结构和第二栅极结构存在短接的问题。
本发明授权检测结构及其形成方法、检测方法在权利要求书中公布了：1.一种检测结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括测试区，所述测试区包括若干相互分立的第一有源区、以及位于相邻所述第一有源区之间的第一隔离结构； 位于若干所述第一有源区上且平行排布的第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构覆盖所述第一有源区的部分顶部表面，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的延伸方向和若干所述第一有源区的延伸方向相交； 位于所述第一有源区内的第一源漏掺杂层、第二源漏掺杂层以及第三源漏掺杂层，所述第二源漏掺杂层位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间，所述第一源漏掺杂层和第二源漏掺杂层分别位于所述第一栅极结构两侧，所述第三源漏掺杂层和第二源漏掺杂层分别位于所述第二栅极结构两侧； 位于若干所述第一源漏掺杂层上的第一导电结构，所述第一导电结构使若干第一源漏掺杂层电互连； 位于若干所述第三源漏掺杂层上的第三导电结构，所述第三导电结构使若干第三源漏掺杂层电互连。
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