买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉东莞市中镓半导体科技有限公司申请的专利大偏角蓝宝石衬底上氮化镓模板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551217B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011343593.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权大偏角蓝宝石衬底上氮化镓模板的制备方法是由敖辉;孙明;庄文荣;颜建锋设计研发完成，并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本大偏角蓝宝石衬底上氮化镓模板的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种大偏角蓝宝石衬底上氮化镓模板的制备方法，包括：步骤1，提供一蓝宝石衬底，将蓝宝石衬底送进MOCVD反应腔，蓝宝石衬底的外延面取向为c面且向a面倾斜一偏角，偏角大于等于0.2°；步骤2，在蓝宝石衬底上沉积低温缓冲层；步骤3，在低温缓冲层上进行超晶格生长，超晶格为二维生长层与三维生长层交替生长堆叠而成；步骤4，在超晶格上进行氮化镓模板层的生长。本发明可以在c面偏向a面0.2°以上的蓝宝石衬底上获得具有平整表面、晶体质量高的c面且偏向m面的氮化镓模板，使用该氮化镓模板可以获得c面且偏向m面的氮化镓单晶，进而获得性能良好的氮化镓基垂直结构功率器件。

本发明授权大偏角蓝宝石衬底上氮化镓模板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种大偏角蓝宝石衬底上氮化镓模板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 步骤1，提供一蓝宝石衬底，将所述蓝宝石衬底送进MOCVD反应腔，所述蓝宝石衬底的外延面取向为c面且向a面倾斜一偏角，所述偏角大于等于0.2°； 步骤2，在所述蓝宝石衬底上沉积缓冲层； 步骤3，在所述缓冲层上进行超晶格生长，所述超晶格为二维生长层与三维生长层交替生长堆叠而成； 步骤4，在所述超晶格上进行氮化镓模板层的生长；步骤4包括以下步骤：步骤4-1，在所述超晶格上沉积三维生长模板层，其生长条件为：气压介于600～700mbar之间，温度介于1010～1050℃之间，承载所述蓝宝石衬底的托盘的转速介于500～700rpm之间，通入的氮元素与镓元素的摩尔比介于1450～1600之间；步骤4-2，在所述三维生长模板层上沉积二维生长模板层，其生长条件为：气压介于200～300mbar之间，温度介于1080～1110℃之间，承载所述蓝宝石衬底的托盘的转速介于1100～1300rpm之间，通入的氮元素与镓元素的摩尔比介于900～1000之间；所述氮化镓模板层的外延面取向为c面且向m面倾斜一偏角，所述偏角大于等于0.2°，所述氮化镓模板层用于制备氮化镓基垂直结构功率器件。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东莞市中镓半导体科技有限公司，其通讯地址为：523000 广东省东莞市企石镇科技工业园；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。