联华电子股份有限公司张智伟获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利高电子迁移率晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551590B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011344582.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权高电子迁移率晶体管及其制作方法是由张智伟;锺耀贤;苏士炜;张豪轩;林大钧;简廷安;蔡滨祥设计研发完成，并于2020-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包含一第一III‑V族化合物层，一第二III‑V族化合物层设置于第一III‑V族化合物层上，第二III‑V族化合物层的组成与第一III‑V族化合物层不同，一沟槽设置于第二III‑V族化合物层和第一III‑V族化合物层中，其中沟槽具有一第一转角和一第二转角都位于第一III‑V族化合物层中，一第一介电层接触第一转角的侧壁，一第二介电层接触第二转角的侧壁，第一介电层和第二介电层都位于沟槽之外，一栅极设置于沟槽内，一源极电极设置于栅极的一侧，一漏极电极设置于栅极的另一侧，一栅极电极设置栅极的正上方。
本发明授权高电子迁移率晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含： 第一III-V族化合物层； 第二III-V族化合物层，设置于该第一III-V族化合物层上，该第二III-V族化合物层的组成与该第一III-V族化合物层不同； 沟槽，设置于该第二III-V族化合物层和该第一III-V族化合物层中，其中该沟槽具有第一转角和第二转角都位于该第一III-V族化合物层中，该第一转角由第一侧壁和底面组成，该第二转角由第二侧壁和该底面组成； 第一介电层，接触该第一侧壁且位于该第一转角处，第二介电层接触该第二侧壁且位于该第二转角处，并且该第一介电层和该第二介电层都位于该沟槽之外，其中该第一介电层和该第二介电层均埋入该第一III-V族化合物层； 栅极，设置于该沟槽内； 源极电极，设置于该栅极的一侧； 漏极电极，设置于该栅极的另一侧；以及 栅极电极，设置该栅极的正上方。
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