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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380704B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011372171.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权形成半导体器件的方法是由赖启胜;孙维中;陈立庭;高魁佑;林志翰设计研发完成，并于2020-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：提供了用以形成不同间距的栅极结构的工艺。一种示例方法包括：提供工件，该工件具有衬底和通过隔离部件彼此间隔开的半导体鳍；在工件上方沉积栅极材料层；在栅极材料层上方形成图案化的硬掩模，该图案化的硬掩模包括不同间距的细长部件；实施第一蚀刻工艺，使用图案化的硬掩模作为蚀刻掩模，穿过栅极材料层以形成沟槽；实施第二蚀刻工艺，使用图案化的硬掩模作为蚀刻掩模，以使沟槽延伸至隔离部件的顶面；以及实施第三蚀刻工艺，使用图案化的硬掩模，以使沟槽延伸至隔离部件中。第一蚀刻工艺包括使用四氟化碳，并且不使用氧气。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

本发明授权形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括： 提供工件，所述工件包括衬底、位于所述衬底上方的多个半导体鳍和共形地设置在所述多个半导体鳍上方的介电层，所述多个半导体鳍中的每一个通过隔离部件与所述多个半导体鳍中的另一个间隔开； 在所述工件上方沉积栅极材料层，所述栅极材料层包括所述多个半导体鳍的顶面上方的第一厚度； 在所述栅极材料层上方形成图案化的硬掩模，所述图案化的硬掩模包括第一多个细长部件和第二多个细长部件； 实施第一蚀刻工艺，使用所述第一多个细长部件和第二多个细长部件作为蚀刻掩模，穿过所述栅极材料层以形成沟槽，所述沟槽朝向所述多个半导体鳍的所述顶面延伸穿过所述第一厚度的约90％和约95％之间； 实施第二蚀刻工艺，使用所述第一多个细长部件和第二多个细长部件模作为蚀刻掩模，以使所述沟槽延伸穿过所述介电层至所述隔离部件的顶面；以及 实施第三蚀刻工艺，使用所述第一多个细长部件和第二多个细长部件，以使所述沟槽延伸至所述隔离部件中； 其中，所述第一多个细长部件包括第一间距，所述第二多个细长部件包括大于所述第一间距的第二间距； 其中，所述第一蚀刻工艺包括使用四氟化碳且不使用氧气，并且压力在40mTorr和100mTorr之间； 其中，所述第二蚀刻工艺包括使用氧气； 其中，所述第二蚀刻工艺包括氮化工艺以将所述介电层的外部转化成氮氧化硅，并且在所述第二蚀刻工艺期间，以慢于氧化硅的蚀刻速率的蚀刻速率来蚀刻氮氧化硅。

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