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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;北京航空航天大学申请的专利MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112614536B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011452068.5，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统是由赵东艳;王于波;邵瑾;陈燕宁;曹凯华;周芝梅;袁远东;潘成;付振设计研发完成，并于2020-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统，属于存储器领域。所述方法包括：为第一存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址；生成多个随机数组，将多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到第一存储阵列的写错误率测量值；生成固定数组，将固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到第二存储阵列的读错误率测量值；根据写错误率基础值、读错误率基础值、写错误率测量值和读错误率测量值，判断第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围。

本发明授权MRAM存储阵列温度自检测方法、存储控制方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种MRAM存储阵列温度自检测方法，其特征在于，所述方法应用铁磁材料在高温区和低温区的读写特性，所述方法包括： 为第一存储阵列分区分配对应的写错误检测区域地址和读错误检测区域地址； 生成多个随机数组，将所述多个随机数组中的每一个随机数组分别在写错误检测区域地址对应的第一存储阵列中执行一次读写操作，得到所述第一存储阵列的写错误率测量值； 生成固定数组，将所述固定数组写入读错误检测区域地址对应的第二存储阵列中，执行多次读操作，得到所述第二存储阵列的读错误率测量值； 根据写错误率基础值、读错误率基础值、所述写错误率测量值和所述读错误率测量值，判断所述第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区当前的温度范围，包括： 比较所述写错误率基础值、所述读错误率基础值、所述写错误率测量值和所述读错误率测量值； 若所述写错误率测量值小于或等于所述写错误率基础值，且所述读错误率测量值小于等于所述读错误率基础值，则所述第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区温度处于额定工作温度范围； 若所述写错误率测量值大于所述写错误率基础值，且所述读错误率测量值小于等于所述读错误率基础值，则所述第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区温度低于额定工作温度范围； 若所述读错误率测量值大于所述读错误率基础值，则所述第一存储阵列和第二存储阵列所属的第一存储阵列分区温度高于额定工作温度范围； 所述写错误率基础值和所述读错误率基础值为MRAM存储阵列正常工作时的写错误率值和读错误率值。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国网思极紫光(青岛)微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;北京航空航天大学，其通讯地址为：100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。