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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695431B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011587176.3，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权一种半导体器件是由韩谷昌;哀立波;杨晓蕾;王明;张恺烨设计研发完成，并于2020-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括衬底，在衬底上设置有第一导电结构图案、位于第一导电结构图案上方的磁隧道结阵列，且每个磁隧道结通过第一接触塞与第一导电结构图案电连接。在衬底上还设置有第二导电结构图案，第二导电结构图案位于磁隧道结阵列上方的第二导电结构图案，且每个磁隧道结通过第二接触塞与第二导电结构图案电连接。第一导电结构图案、第二导电结构图案、第一接触塞及第二接触塞中的部分或全部结构中包含有磁屏蔽材料。在每个磁隧道结附近区域都有磁屏蔽材料进行磁屏蔽，从而能够提高对每个磁隧道结进行磁屏蔽的效果。且可以在加工导电结构图案和接触塞时，将磁屏蔽材料加入其内，从而能够简化加工工艺。

本发明授权一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 设置在所述衬底上的第一导电结构图案； 设置在所述第一导电结构图案上方的磁隧道结阵列，所述磁隧道结阵列包含多个阵列排列的磁隧道结，且每个磁隧道结通过第一接触塞与所述第一导电结构图案电连接；所述第一导电结构图案为底金属层阵列， 设置在所述磁隧道结阵列上方的第二导电结构图案，且每个磁隧道结通过第二接触塞与所述第二导电结构图案电连接；所述第二导电结构图案为位线图案， 其中，所述第一导电结构图案、第二导电结构图案、第一接触塞及第二接触塞中的部分或全部结构中包含有磁屏蔽材料； 其中，所述衬底上还设置有环绕在所述磁隧道结阵列四周的冗余结构，每个冗余结构包括上下依次排布的至少两层冗余层；任意相邻的两层冗余层间隔设置，且在任意相邻的两层冗余层之间连接有冗余接触塞； 其中，每层冗余层均为磁屏蔽材料层、或包含有磁屏蔽材料层和低电阻率材料层的复合材料层；所述冗余接触塞的材料为磁屏蔽材料； 所述至少两层冗余层中位于最下层的冗余层与所述底金属层阵列位于同一层，位于最上层的冗余层与所述位线图案位于同一层。

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