四川晶科能源有限公司马腾飞获国家专利权
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龙图腾网获悉四川晶科能源有限公司申请的专利一种单晶炉漏硅后快速引流装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112626610B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011641329.8，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权一种单晶炉漏硅后快速引流装置是由马腾飞;汪奇;龙昭钦;宋丽平设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单晶炉漏硅后快速引流装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种单晶炉漏硅后快速引流装置，包括竖直通道、溢流槽和上盖，竖直通道的顶端与单晶炉炉底连通，竖直通道的底端与溢流槽连通，上盖安装于溢流槽上端面，且溢流槽内为真空腔。本申请公开的单晶炉漏硅后快速引流装置，在单晶炉炉底外围安装溢流槽，排气管道接竖直通道，竖直通道下面接溢流槽，溢流槽与整个炉体连接，当发生漏硅现象时，竖直通道将硅溶液引流至溢流槽，使硅熔液快速流入溢流槽内，不与通有冷却水的不锈钢接触，保证了硅熔液不融穿不锈钢炉底，避免冷却水泄漏瞬间汽化导致的锅炉内部压力迅速增加出现锅炉爆炸的情况，且可从上盖处打开溢流槽，取出里面凝固的硅溶液，再继续安装使用。
本发明授权一种单晶炉漏硅后快速引流装置在权利要求书中公布了：1.一种单晶炉漏硅后快速引流装置，其特征在于，包括竖直通道1、溢流槽2和上盖3，所述竖直通道1的顶端与单晶炉炉底连通，所述竖直通道1的底端与所述溢流槽2连通，所述上盖3安装于所述溢流槽2上端面，且所述溢流槽2内为真空腔； 所述竖直通道1为单层不锈钢管道； 所述竖直通道1的厚度为3～5mm； 所述溢流槽2为单层不锈钢立方体槽； 所述溢流槽2的厚度为3～5mm； 所述单晶炉共有两个排气管道，每个所述排气管道接一个所述竖直通道1，每个所述竖直通道1下面接一个所述溢流槽2，共两个所述溢流槽2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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