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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种GaN厚膜的生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864755B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110075657.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种GaN厚膜的生长方法是由王建立;张义;李毓锋;王成新设计研发完成，并于2021-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN厚膜的生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种GaN厚膜的生长方法，属于光电子功率器件技术领域，本发明基于AIXTRONMOCVD设备，在双抛蓝宝石基板的一面上生长一定厚度GaN材料，再在双抛蓝宝石基板的另一面上生长同样厚度的GaN材料，蓝宝石基板两侧的GaN厚度相同，从而达到降低热膨胀，降低翘曲度和减小应力的目的，从而生长出平整的GaN厚膜，解决异质外延因应力大无法生长厚膜的问题，为GaN自支撑衬底的制备提供厚膜，应用于同质外延的功率器件、蓝光激光器等，满足高效新型大功率电力电子、光电等领域应用需求。

本发明授权一种GaN厚膜的生长方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN厚膜的生长方法，其特征在于，包括以下步骤： 1准备双抛蓝宝石衬底，使用MOCVD进行生长； 2将双抛蓝宝石衬底放入MOCVD反应腔中，按常规LED程序进行生长缓冲层、粗化层、恢复层，速率生长条件和常规LED一样；缓冲层的生长材料为GaNAlGaN，粗化层的生长材料为GaN，恢复层的生长材料为GaN； 3然后进行生长uGaN层，uGaN层的生长速率为15umh-22umh，uGaN层的生长厚度为200um-220um；uGaN层的生长速率由以下方法之一或两种方法的组合进行设定： a.反应腔中H2N2总量不变，增加TMGa流量和NH3流量，TMGa流量为800-1400cc，NH3流量为8-12L； b.维持TMGa和NH3流量不变，增大反应腔中H2N2总量至100L-130L； 4双抛蓝宝石衬底一面的uGaN生长结束后,将长完的外延片取出，更换已烘烤干净的托盘，将双抛蓝宝石衬底另一面朝上，已生长GaN的一面朝向托盘，放入更换后的托盘槽中，重新传入MOCVD反应腔中按照步骤2、3进行生长； 5生长步骤重复步骤2和3的条件，双抛蓝宝石衬底两面最外侧的uGaN层长完后，使用金刚线将两面GaN层和蓝宝石衬底进行切割分离，得到两片同样厚度的GaN厚膜，再把切割后的任意一片GaN厚膜放入烘烤后的干净托盘上，非金刚线切割的一面朝上，传入MOCVD反应腔中，继续同质生长GaN，此次生长不再生长底层的缓冲层\粗化层\恢复层，直接生长uGaN层，生长速率和步骤3一样,设定一定生长时间，得到厚度为500-520um的GaN超级厚膜。

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