爱思开海力士有限公司崔亨进获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948120B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110223870.5，技术领域涉及：G11C7/04；该发明授权半导体存储器装置是由崔亨进;黄盛炫设计研发完成，并于2021-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、页缓冲器、控制逻辑和电压发生器。存储器单元阵列包括存储器单元。页缓冲器通过位线连接到存储器单元，并且被配置为读取存储器单元的数据。控制逻辑生成用于控制页缓冲器的控制信号。电压发生器生成控制信号的激活电压。页缓冲器包括在位线和第一节点之间的第一晶体管、在电源电压和第二节点之间的第二晶体管、在第一节点和第二节点之间的第三晶体管、在第二节点与第三节点之间的第四晶体管以及在第一节点与第三节点之间的第五晶体管。电压发生器基于半导体存储器装置的温度来控制对第五晶体管进行控制的第一控制信号。
本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括： 存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括用于存储数据的多个存储器单元； 页缓冲器，所述页缓冲器通过位线连接到所述多个存储器单元中的至少一个，并且被配置为读取存储在所述存储器单元中的数据； 控制逻辑，所述控制逻辑被配置为生成用于控制所述页缓冲器的操作的多个控制信号；以及 电压发生器，所述电压发生器被配置为生成所述多个控制信号的激活电压， 其中，所述页缓冲器包括： 连接在所述位线和第一节点之间的第一晶体管； 连接在电源电压和第二节点之间的第二晶体管； 连接在所述第一节点和所述第二节点之间的第三晶体管； 连接在所述第二节点和第三节点之间的第四晶体管；以及 连接在所述第一节点和所述第三节点之间的第五晶体管，并且 其中，所述电压发生器还被配置为基于所述半导体存储器装置的温度来控制所述多个控制信号当中的控制所述第五晶体管的第一控制信号的激活电压，并且 其中，所述第一控制信号的激活电压大于所述多个控制信号当中的控制所述第三晶体管的第二控制信号的激活电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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