台湾积体电路制造股份有限公司乔治奥斯·韦理安尼堤斯获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113517342B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110295337.X，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件及其制造方法是由乔治奥斯·韦理安尼堤斯设计研发完成，并于2021-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括半导体沟道层、栅极结构、复合物区域、源极端子和漏极端子。栅极结构设置在半导体沟道层上。源极端子和漏极端子设置在半导体沟道层上。复合物区域分别设置在源极端子和半导体沟道层之间以及漏极端子和半导体沟道层之间。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 半导体沟道层； 栅极结构，设置在所述半导体沟道层的侧上； 源极端子和漏极端子，设置在所述半导体沟道层的与所述栅极结构相同或不同的侧上；以及 第一复合物区域和第二复合物区域，所述第一复合物区域直接设置在所述源极端子和所述半导体沟道层之间的所述源极端子下面，并且所述第二复合物区域直接设置在所述漏极端子和所述半导体沟道层之间的所述漏极端子下面，并且其中，所述第一复合物区域限定在所述源极端子的外部侧壁之间， 其中，所述半导体沟道层的材料包括氧化铟镓锌IGZO、氧化铟锡ITO、氧化铟钨IWO、氧化铟锌IZO、氧化锌锡ZTO或它们的组合，并且所述第一复合物区域和所述第二复合物区域包括所述半导体沟道层的所述材料的氢掺杂的复合物，其中，所述第一复合物区域和所述第二复合物区域具有中心部分的厚度小于外围部分的厚度的凹形形状并且具有碟形或碗形表面，其中，所述外围部分围绕所述中心部分，所述源极端子和所述漏极端子分别与所述第一复合物区域和所述第二复合物区域的所述碟形或碗形表面接触。
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