京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司胡锦堂获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司申请的专利一种像素结构、阵列基板、显示面板以及显示设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112925144B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110307712.8，技术领域涉及：G02F1/1676；该发明授权一种像素结构、阵列基板、显示面板以及显示设备是由胡锦堂;华刚;邓立广;王敏;李少波;樊鹏凯;刘景昊;苏少凯;潘靓靓;王冬;王哲;齐梓希设计研发完成，并于2021-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种像素结构、阵列基板、显示面板以及显示设备在说明书摘要公布了：本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种像素结构、阵列基板、显示面板以及显示设备。像素结构栅线、数据线、栅极、第一电极、第二电极以及第三电极；所述栅极与所述栅线连接，所述第一电极与所述数据线连接；所述第二电极具有沿自身延伸方向分布的第一部分和第二部分，其中：所述第二电极的第一部分与所述第一电极以及栅极配合形成第一薄膜晶体管；所述第二电极的第二部分与所述第三电极以及栅极配合形成第二薄膜晶体管。本申请中的像素结构，可以有效的提高像素的开口率，提高显示效果。
本发明授权一种像素结构、阵列基板、显示面板以及显示设备在权利要求书中公布了：1.一种像素结构，其特征在于，包括：栅线、数据线、栅极、第一电极、第二电极以及第三电极； 所述栅极与所述栅线连接，所述第一电极与所述数据线连接； 所述第二电极具有沿自身延伸方向分布的第一部分和第二部分，其中： 所述第二电极的第一部分与所述第一电极以及栅极配合形成第一薄膜晶体管； 所述第二电极的第二部分与所述第三电极以及栅极配合形成第二薄膜晶体管； 所述栅极沿行的方向设置，所述第二电极沿行方向设置，且所述第一电极和所述第二电极沿列的方向排布，第二电极与所述第三电极沿列的方向排布； 还包括像素电极，所述第三电极与所述像素电极连接； 所述第一电极、所述第二电极以及所述第三电极均位于所述栅极的同一侧； 所述栅线具有向所述像素电极一侧的凸出部，所述凸出部及栅线的自身部分形成所述栅极； 第一电极和第三电极位于第二电极和像素电极之间； 第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共用的第二电极在衬底层的正投影位于栅线在衬底层上的正投影内。
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