世界先进积体电路股份有限公司黄绍璋获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347048B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110521696.2，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构是由黄绍璋;许凯杰;陈俊智;林志轩设计研发完成，并于2021-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构，包括一基板、第一阱、第二阱、第一掺杂区、第二掺杂区、第一栅极结构、第一绝缘层以及第一场板结构。第一阱及第二阱设置于该基板内。第一掺杂区设置于第一阱之中。第二掺杂区设置于第二阱之中。第一栅极结构设置于第一掺杂区与第二掺杂区之间。第一绝缘层覆盖部分的第一阱与部分的第一栅极结构。第一场板结构设置于第一绝缘层上，并与第一栅极结构部分重叠，其中第一场板结构沿着第一方向分割为彼此分隔的第一部分场板以及第二部分场板。本申请可基于设计需求通过分割场板以弹性地配置导通电阻及总栅极电荷，以获得所需的装置性能。此外，也可通过弹性地配置导通电阻及总栅极电荷，以获得最佳的优化指标。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一基板； 一第一阱，设置于所述基板内，且具有一第一导电型； 一第二阱，设置于所述基板内并与所述第一阱相邻，且具有与所述第一导电型相反的一第二导电型； 一第一掺杂区，设置于所述第一阱之中； 一第二掺杂区，设置于所述第二阱之中； 一第一栅极结构与一第二栅极结构，所述第一栅极结构设置于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间； 一第一绝缘层，覆盖部分的所述第一阱与部分的所述第一栅极结构；以及 一第一场板结构，设置于所述第一绝缘层上，并与所述第一栅极结构至少部分重叠，其中所述第一场板结构沿着一第一方向分割为一第一部分场板以及一第二部分场板，而所述第一栅极结构与所述第二栅极结构沿着一第二方向排列，所述第二方向垂直于所述第一方向，且所述第一部分场板与所述第二部分场板彼此分隔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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