日月光半导体制造股份有限公司黄文宏获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113488458B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110522892.1，技术领域涉及：H10D80/00；该发明授权封装结构及其形成方法是由黄文宏设计研发完成，并于2021-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种封装结构，包括：线路层，具有相对设置的第一面和第二面，以及位于第一面和第二面之间并与第一面和第二面邻接的第三面；第一天线基板，设置在第一面上；第二天线基板，设置在第三面上；第一屏蔽层，设置在第二天线基板上并且邻近第三面；模制化合物，包覆线路层、第一天线基板和第二天线基板；重分布层，设置在第二面上，重分布层电连接至线路层和屏蔽层。本发明的目的在于提供一种封装结构及其形成方法，以实现天线封装结构的多向辐射。
本发明授权封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 线路层，具有相对设置的第一面和第二面，以及位于所述第一面和所述第二面之间并与所述第一面和所述第二面邻接的第三面； 第一天线基板，设置在所述第一面上； 第二天线基板，设置在所述第三面上； 第一屏蔽层，设置在所述第二天线基板上并且邻近所述第三面； 第三天线基板，位于所述线路层的所述第三面相对的第四面上； 第二屏蔽层，设置在所述第三天线基板上并且邻近所述第四面； 模制化合物，包覆所述线路层、所述第一天线基板和所述第二天线基板和所述第三天线基板； 重分布层，设置在所述第二面上，所述重分布层电连接至所述线路层和所述第一屏蔽层，所述重分布层电连接至所述线路层和所述第二屏蔽层， 其中，所述第二天线基板和所述第三天线基板在横向方向上与所述第一天线基板间隔开、并且位于所述第一天线基板的相对两侧，所述第二天线基板和所述第三天线基板结构相同， 其中，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层在横向方向上与所述第一天线基板间隔开、并且位于所述第一天线基板的相对两侧，所述第一屏蔽层和所述第二屏蔽层结构相同； 其中，所述第一天线基板、所述第二天线基板与所述第三天线基板呈三向辐射。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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