长鑫存储技术有限公司黄鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种接触结构的形成方法、接触结构及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115700902B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110824913.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种接触结构的形成方法、接触结构及半导体装置是由黄鑫;王士欣设计研发完成，并于2021-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种接触结构的形成方法、接触结构及半导体装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种接触结构的形成方法、接触结构及半导体装置，包括：提供衬底，所述衬底内具有多个隔离区，所述隔离区于所述衬底隔离出若干个有源区；同时对所述有源区和隔离区进行第一次蚀刻，以形成第一接触通孔，所述第一接触通孔底部于有源区位置处形成凸起有源区；沉积第一介质层，覆盖所述第一接触通孔的侧壁和底部；对第一接触通孔底部进行第二次蚀刻，形成具有目标深度的接触结构。通过往第一接触通孔底部回填第一介质层，再次蚀刻达到目标深度，降低第一接触通孔底部在不同介质层面的高低差，避免后续需要填入接触结构的导电材料无法完全填满的问题，提高后续形成的半导体结构的电性能，进而提高良率。
本发明授权一种接触结构的形成方法、接触结构及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种接触结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内具有多个隔离区，所述隔离区于所述衬底隔离出若干个有源区； 同时对所述有源区和所述隔离区进行第一次蚀刻，以形成第一接触通孔，所述第一接触通孔底部于所述有源区位置处形成凸起有源区，在所述第一次蚀刻形成的所述第一接触通孔中，所述第一接触通孔内与所述凸起有源区对应的深度小于所述第一接触通孔的目标深度，所述凸起有源区位于所述第一接触通孔底部中心位置处，所述凸起有源区的两侧至所述第一接触通孔对应两侧侧壁的距离均为第一宽度； 沉积第一介质层，覆盖所述第一接触通孔的侧壁和底部，所述第一介质层的沉积厚度大于或等于所述第一宽度的二分之一，所述凸起有源区的顶部至所述第一接触通孔底表面的距离为第一高度，所述第一高度大于所述沉积厚度； 对所述第一接触通孔底部进行第二次蚀刻，形成具有所述目标深度的接触结构。
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