山东浪潮华光光电子股份有限公司郑军获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种防止背崩的LED芯片切割方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115708228B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110956765.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种防止背崩的LED芯片切割方法是由郑军;李琳琳;齐国健;闫宝华设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种防止背崩的LED芯片切割方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种防止背崩的LED芯片切割方法。所述方法包括步骤：1贴膜；2切割；3微扩膜与缩膜；4压膜；5扣膜；6扩膜，完成切割。本发明改善了常规化芯片切割工艺，添加了预切割、微扩膜、缩膜、压膜和扣膜步骤，将应力分段传递，减少应力对芯片内里造成的影响，有效地改善了常规化芯片切割工艺将应力由表面直接一次性深入传递到芯片内里，容易造成芯片背崩的情况，克服了芯片切割过程中容易发生背崩的问题，极大地提高了芯片切割的合格率，降低了生产成本。
本发明授权一种防止背崩的LED芯片切割方法在权利要求书中公布了：1.一种防止背崩的LED芯片切割方法，其特征在于，包括步骤如下： 1贴膜：将芯片P面向下放入贴膜机中，用蓝膜覆盖芯片N面，加热，使得芯片N面黏附在蓝膜上； 2切割：将步骤1所得芯片P面向上放入锯片机中，校准水平，画定切割行列，设置刀片初始高度为40-200μm，选择一行进行第一次预切割，第一次预切割完成后暂停，观察芯片N面蓝膜上的划痕，根据划痕调整刀片高度另起一行继续预切割，直至N面蓝膜上仅为一条浅划痕，使得芯片切割深度为芯片厚度的95～98％，然后按照此刀片高度进行正常切割，切割后芯片的背面不会彻底断开； 3微扩膜与缩膜：将步骤2所得芯片放入扩膜机中，进行微扩膜处理，然后加热，使得芯片受热回缩至微扩膜前的大小； 4压膜：将步骤3所得芯片放入压膜机中，加热，进行压膜处理； 5扣膜：将步骤4所述芯片沿着切割过程中的切割痕迹进行内扣处理，使得蓝膜与切割痕迹完全贴合； 6扩膜：将步骤5所得芯片放入扩膜机中，进行扩膜处理，得到一颗颗独立的管芯，完成LED芯片的切割。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东浪潮华光光电子股份有限公司，其通讯地址为：261061 山东省潍坊市高新区金马路9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号