长鑫存储技术有限公司卢经文获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制造方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115811881B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111070512.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制造方法和半导体结构是由卢经文设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制造方法和半导体结构在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，制造方法包括：提供基底，所述基底内具有相互分立的有源区以及位于相邻有源区之间的隔离结构；所述有源区包括中心区和位于所述中心区两侧的边缘区；在垂直于所述基底顶面的方向上，去除所述中心区的至少部分厚度的所述有源区，以形成位于所述有源区内的凹槽，所述凹槽具有开口；形成位线接触层，所述位线接触层封闭所述凹槽的所述开口，所述位线接触层和所述有源区围成间隙。本发明实施例能够提高半导体结构存储的数据的准确性。
本发明授权半导体结构的制造方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底内具有相互分立的有源区以及位于相邻有源区之间的隔离结构；所述有源区包括中心区和位于所述中心区两侧的边缘区； 在垂直于所述基底顶面的方向上，去除所述中心区的至少部分厚度的所述有源区，以形成位于所述有源区内的凹槽，所述凹槽具有开口； 形成位线接触层，所述位线接触层封闭所述凹槽的所述开口，所述位线接触层和所述有源区围成间隙； 其中，形成所述凹槽和所述位线接触层的步骤包括： 在垂直于所述基底顶面的方向上，刻蚀所述中心区的部分厚度的所述有源区，以形成位于所述有源区内的初始凹槽，所述初始凹槽的深度小于所述凹槽的深度； 在所述初始凹槽的侧壁形成接触种子层； 形成所述接触种子层后，至少去除所述初始凹槽正下方的部分厚度的所述有源区，以形成所述凹槽； 形成接触填充层，所述接触填充层覆盖所述接触种子层，并填充于所述凹槽的所述开口，所述接触填充层与所述接触种子层构成所述位线接触层。
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