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龙图腾网获悉北京理工雷科电子信息技术有限公司申请的专利一种在轨处理系统自主容错和故障恢复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113918386B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111239294.X，技术领域涉及：G06F11/14；该发明授权一种在轨处理系统自主容错和故障恢复方法是由朱彦芳;张江江;刘晓霞;贺升荣;罗伟慧;赵国宇设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种在轨处理系统自主容错和故障恢复方法在说明书摘要公布了：本发明的在轨处理系统自主容错和故障恢复方法，能够基于FPGA内部软件对在轨处理系统进行校验和纠正，保证卫星正常运行。基于FPGA内部软件进行校验和纠正，以便解决单粒子翻转的影响，包括TMR三模冗余、EDAC单bit纠错及程序重加载，TMR主要保证卫星单机烧录应用文件受单粒子翻转后，仍可实现系统加载；EDAC主要保证单机在应用程序加载运行中，所有配置变量等关键数据受单粒子翻转后，仍可实现纠错，保证正常运行。本发明还包括程序重加载过程，主要保证卫星单机烧录三份应用文件均受单粒子翻转后，仍可实现地面在轨上注，保证卫星正常运行。

本发明授权一种在轨处理系统自主容错和故障恢复方法在权利要求书中公布了：1.一种在轨处理系统自主容错和故障恢复方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一：采用JTAG烧录器将应用文件复制相同的三份，烧录到PROM存储器不同地址段中； 步骤二：单机上电后，FPGA读取PROM程序数据到SRAM区，实时读取SRAM区程序数据并加载，单机进行实时IP核刷新； 步骤三：在PROM程序数据正常时，FPGA每间隔设定时间向处理板发起一次回读刷新功能，根据指令调度，读取一次SRAM区程序数据，与PROM数据进行比对，回读比对后有单bit数据异常时进行自动纠错处理，FPGA将原有数据替换异常数据，保证单机正常执行； 在PROM程序数据异常时，将应用文件采用地面上注方式上注到FPGA外挂的NOR存储器中并加载；FPGA重加载后，初始化完成所有模块，重新开始工作； 所述步骤三中，将应用文件采用地面上注方式上注到FPGA外挂的NOR存储器中并加载，包含以下步骤： 步骤21、将地面的应用文件通过LVDS接口上注到在轨单机内部FPGA外挂的NOR存储器中；地面上注后，NOR存储器持续保持该应用文件，直到下一次地面上注覆盖； 步骤22、对电路上电后，FPGA加载并初始化完成所有模块后； 步骤23、通过地面或卫星自主任务指令，发送使用上注程序加载指令； 步骤24、FPGA读取NOR存储器中应用程序，通过JTAG接口将地面上注的应用程序重加载到FPGA中； 所述步骤二中，所述实时读取SRAM区程序数据并加载具体方式为： 对电路上电后，FPGA根据复位信号，读取PROM配置及应用文件；FPGA将三份应用文件，进行两两比对，将比对输出结果进行三取二表决，表决相似度较高的结果输出，进行加载运行。

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