致真存储(北京)科技有限公司商显涛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉致真存储(北京)科技有限公司申请的专利一种多态存储的方法、多态存储器以及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113971965B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111254017.6，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权一种多态存储的方法、多态存储器以及存储介质是由商显涛;卢世阳;刘宏喜;曹凯华;王戈飞设计研发完成，并于2021-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多态存储的方法、多态存储器以及存储介质在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种多态存储的方法、多态存储器以及存储介质。其中，该方法包括：重金属层流入的电流从第一电流变更为第二电流，重金属层产生目标自旋流，自由层的磁场响应于目标自旋流产生第一自旋轨道力矩，使反铁磁层在第一自旋轨道力矩的作用下由第一反铁磁层磁矩切换为第二反铁磁层磁矩，使自由层的第一自由层磁矩切换为第二自由层磁矩，以使多态存储器的阻态由第一阻态切换为第二阻态，从而实现了通过控制电流的大小来实现多阻态的存储，并且由于电流的大小更加容易控制，使得这种控制方式比较容易得到更加稳定的多个阻态，降低了多态存储实现的难度。
本发明授权一种多态存储的方法、多态存储器以及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种多态存储的方法，其特征在于，应用于多态存储器，所述多态存储器包括衬底和覆盖在所述衬底之上的磁隧道结,其中，所述衬底的上表面包括重金属层，所述磁隧道结包括自下而上的反铁磁层、自由层和固定层，所述方法包括： 所述重金属层流入的电流从第一电流变更为第二电流时，所述重金属层产生目标自旋流，所述目标自旋流经由所述反铁磁层流入所述自由层，其中，所述第二电流的电流值小于或者等于第一预设值，所述第一预设值是第一预设范围中的任意一值； 所述自由层的磁场响应于所述目标自旋流产生第一自旋轨道力矩； 所述反铁磁层在所述第一自旋轨道力矩的作用下由第一反铁磁层磁矩切换为第二反铁磁层磁矩； 所述自由层在所述第二反铁磁层磁矩的作用下由第一自由层磁矩切换为第二自由层磁矩，以使所述多态存储器的阻态由第一阻态切换为第二阻态，所述第一阻态是所述第一自由层磁矩对应的阻态，所述第二阻态是所述第二自由层磁矩对应的阻态； 所述固定层包括合成反铁磁结构或自旋阀结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人致真存储(北京)科技有限公司，其通讯地址为：100191 北京市海淀区知春路23号5层504A、504B室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号