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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利表面等离子体光刻图形的修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116068859B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111288483.6，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权表面等离子体光刻图形的修正方法是由马乐;韦亚一;张利斌;何建芳设计研发完成，并于2021-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本表面等离子体光刻图形的修正方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种表面等离子光刻图形的修正方法，包括：在测试掩模上形成多个测试图形，每个测试图形至少由第一测试参数和与第一测试参数相关的第二测试参数表征；利用含有测试图形的测试掩模对光刻胶层进行曝光，形成多个光刻胶图形，每个光刻胶图形至少由第一曝光参数和与第一曝光参数相关的第二曝光参数表征；基于测试图形的第一测试参数和第二测试参数和光刻胶图形的第一曝光参数和第二曝光参数的对应关系建立第一数据表；根据第一曝光参数对第一数据表进行处理得到第二数据表；基于第二数据表对多个设计图形的第二测试参数进行修正，得到修正后设计图形，利用修正后设计图形制作用于曝光的掩模。

本发明授权表面等离子体光刻图形的修正方法在权利要求书中公布了：1.一种表面等离子体光刻图形的修正方法，包括： 在测试掩模上形成多个测试图形，每个所述测试图形至少由第一测试参数和与所述第一测试参数相关的第二测试参数表征； 利用含有所述测试图形的测试掩模对光刻胶层进行曝光，形成多个光刻胶图形，每个所述光刻胶图形至少由第一曝光参数和与所述第一曝光参数相关的第二曝光参数表征； 基于所述测试图形的第一测试参数和第二测试参数与所述光刻胶图形的第一曝光参数和第二曝光参数的对应关系建立第一数据表； 根据所述第一曝光参数对所述第一数据表进行处理得到第二数据表；以及 基于所述第二数据表分别对多个设计图形的第二测试参数进行修正，得到修正后设计图形，利用所述修正后设计图形制作用于曝光的掩模； 其中，根据所述第一曝光参数对所述第一数据表进行处理得到第二数据表，包括：依次选取每个测试图形作为目标图形，在所述第一数据表中查找与所述目标图形的第一测试参数相同的至少两个第一曝光参数；获得与至少两个所述第一曝光参数相关的第二曝光参数；在所有相关的第二曝光参数中选择一个与所述目标图形的第二测试参数最接近第二曝光参数作为优选第二曝光参数；在所述第一数据表中查找与所述目标图形的第一测试参数相同且与所述优选第二曝光参数对应的优选第二测试参数；以及基于所有目标图形的第一测试参数、第二测试参数和优选第二测试参数建立所述第二数据表。

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