中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张丽获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利基于CMP制备N极性GaN的方法、N极性GaN及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023640B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111300043.8，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权基于CMP制备N极性GaN的方法、N极性GaN及其应用是由张丽;于子呈;于国浩;张宝顺设计研发完成，并于2021-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于CMP制备N极性GaN的方法、N极性GaN及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于CMP制备N极性GaN的方法、N极性GaN及其应用。所述基于CMP制备N极性GaN的方法包括：使Ga极性GaN材料的N极性面露出；采用碱性抛光液对所述Ga极性GaN材料的N极性面进行化学机械抛光减薄，以使其中的N极性GaN露出；其中，所述碱性抛光液包含研磨抛光纳米颗粒。本发明实施例提供的一种基于CMP制备N极性GaN的方法制备的N极性GaN不存在刻蚀损伤，可减小欧姆接触电阻，进而提高N极性GaN及其器件的性能，并且制备的N极性GaN的表面粗糙度更小。
本发明授权基于CMP制备N极性GaN的方法、N极性GaN及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于CMP制备N极性GaN的方法，其特征在于包括： 使Ga极性GaN材料的N极性面露出； 采用碱性抛光液对所述Ga极性GaN材料的N极性面进行化学机械抛光减薄，以使其中的N极性GaN露出；其中，所述Ga极性GaN材料包含N极性AlxGa1-xN和N极性GaN，0＜x≤1，所述N极性AlxGa1-xN和N极性GaN的化学机械抛光减薄速率选择比达到30:1以上，所述碱性抛光液包含研磨抛光纳米颗粒。
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