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龙图腾网获悉澳门大学申请的专利振荡器及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114039549B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111316023.X，技术领域涉及：H03B5/36；该发明授权振荡器及芯片是由殷俊;孟茜;麦沛然;马许愿设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本振荡器及芯片在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种振荡器及芯片，振荡器包括：第一逆F类振荡器及第二逆F类振荡器，所述第一逆F类振荡器包括第一谐振腔、第一N型金属氧化物半导体晶体管及第一P型金属氧化物半导体晶体管；所述第二逆F类振荡器包括第二谐振腔、第二N型金属氧化物半导体晶体管及第二P型金属氧化物半导体晶体管，所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极与所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接，所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极与所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接。这样，能增大谐振腔在二次谐波频率的品质因子Q值，并且不会降低谐振腔在基频的品质因子Q值，优化振荡器的相位噪声和质量因子FoM。

本发明授权振荡器及芯片在权利要求书中公布了：1.一种振荡器，其特征在于，包括：第一逆F类振荡器及第二逆F类振荡器，所述第一逆F类振荡器包括第一谐振腔、第一N型金属氧化物半导体晶体管及第一P型金属氧化物半导体晶体管，所述第一谐振腔的各端口分别与所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极和栅极、所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的漏极和栅极连接； 所述第二逆F类振荡器包括第二谐振腔、第二N型金属氧化物半导体晶体管及第二P型金属氧化物半导体晶体管，所述第二谐振腔的各端口分别与所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏极和栅极、第二P型金属氧化物半导体晶体管的漏极和栅极连接； 所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极与所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接，所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极与所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接； 所述第一N型金属氧化物半导体晶体管和所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的源极分别接地，所述第一P型金属氧化物半导体晶体管和所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的源极分别与电源连接； 所述第一谐振腔包括第一初级谐振腔及第一次级谐振腔； 所述第一初级谐振腔的第一端与所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接于第一漏极结点； 所述第一初级谐振腔的第二端与所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接于第二漏极结点； 所述第一次级谐振腔的第一端与所述第一N型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接于第一栅极结点； 所述第一次级谐振腔的第二端与所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接于第二栅极结点； 所述第二谐振腔包括第二初级谐振腔及第二次级谐振腔； 所述第二初级谐振腔的第一端与所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接于第三漏极结点； 所述第二初级谐振腔的第二端与所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的漏极连接于第四漏极结点； 所述第二次级谐振腔的第一端与所述第二N型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接于第三栅极结点； 所述第二次级谐振腔的第二端与所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的栅极连接于第四栅极结点。

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