长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利旋涂模拟的方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114004101B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111311561.X，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权旋涂模拟的方法、装置、设备及存储介质是由郭帅;刘忠明设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本旋涂模拟的方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本公开提供一种旋涂模拟的方法、装置、设备及存储介质。所述旋涂模拟的方法应用于对非平面半导体结构的旋涂膜层的形状进行模拟，所述方法包括：获取旋涂工艺参数信息；基于预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定形成于非平面半导体结构上的旋涂膜层的形状信息。本公开实施例所提供的旋涂模拟的方法中，根据预设模拟模型和旋涂工艺参数信息模拟旋涂膜层的形状，从而为旋涂步骤之后的其他工艺步骤提供参考依据，以保证制备出的半导体产品的质量。
本发明授权旋涂模拟的方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种旋涂模拟的方法，应用于对非平面半导体结构的旋涂膜层的形状进行模拟，其特征在于， 所述方法包括： 获取旋涂工艺参数信息； 基于预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定形成于非平面半导体结构上的旋涂膜层的形状信息； 所述旋涂工艺参数信息包括：目标膜层厚度和旋涂材料的特征信息，所述旋涂材料的特征信息用于确定所述旋涂材料的流动性信息； 所述基于预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定形成于非平面半导体结构上的旋涂膜层的形状信息，包括： 基于所述预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定所述旋涂膜层的表面形状信息； 基于所述旋涂膜层的表面形状信息和所述非平面半导体结构的预设表面形状信息，确定所述旋涂膜层的形状信息； 所述基于所述预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定所述旋涂膜层的表面形状信息，包括： 基于所述预设模拟模型和所述旋涂工艺参数信息，确定模拟曲线，所述模拟曲线用于表征所述旋涂膜层的表面形状信息； 所述目标膜层厚度和所述旋涂材料的特征信息与所述模拟曲线的关系可通过实验标定或经验值方式确定。
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