长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院王晓光获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116209279B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111446952.2，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法是由王晓光;李辉辉;张强;吴敏敏;汪珊设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本申请实施例属于半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体结构及半导体结构的制作方法，用以解决相关技术中两种存储单元通常在垂直于衬底的方向上层叠设置，使得工艺制程繁琐，生产效率降低。包括衬底，衬底包括第一阵列区和第二阵列区；第一阵列区上设有多个第一存储结构构成的第一存储阵列；第二阵列区上设有多个第二存储结构构成的第二存储阵列。相比于相关技术中，将不同的存储结构在衬底上进行层叠设置，本实施例中，将第一存储结构和第二存储结构在衬底上进行并排设置，有利于简化工艺制程，提高生产效率。
本发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于， 包括： 提供衬底，所述衬底包括第一阵列区和第二阵列区； 在所述第一阵列区上形成多个呈阵列排布的第一存储结构构成的第一存储阵列，在所述第二阵列区上形成多个呈阵列排布的第二存储结构构成的第二存储阵列；所述第一存储阵列和所述第二存储阵列同步形成； 其中，所述第一存储结构包括第一位线结构、第一晶体管结构和电容结构，所述第二存储结构包括源极线结构、第二位线结构和第二晶体管结构； 在所述第一阵列区和所述第二阵列区上同步形成所述第一位线结构和所述源极线结构； 所述第一位线结构位于所述第一晶体管下方，所述电容结构设置在对应的所述第一晶体管上； 所述源极线结构位于所述第二晶体管结构下方，所述第二位线结构位于所述第二晶体管结构上方。
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