格芯(美国)集成电路科技有限公司A·R·贾斯瓦尔获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利内嵌有非易失性晶体管的静态随机存取存储器（SRAM）基元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111458085.4，技术领域涉及：G11C11/412；该发明授权内嵌有非易失性晶体管的静态随机存取存储器（SRAM）基元是由A·R·贾斯瓦尔;B·C·保罗;S·R·索斯设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本内嵌有非易失性晶体管的静态随机存取存储器（SRAM）基元在说明书摘要公布了：本发明涉及内嵌有非易失性晶体管的静态随机存取存储器SRAM基元。本公开涉及一种结构，该结构包括：锁存电路；第一非易失性场效应晶体管FET，其连接到锁存电路的第一侧和位线；以及第二非易失性场效应晶体管FET，其连接到锁存电路的第二侧和互补位线。
本发明授权内嵌有非易失性晶体管的静态随机存取存储器（SRAM）基元在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 锁存电路； 第一非易失性场效应晶体管FET，其连接到所述锁存电路的第一侧和位线； 第二非易失性场效应晶体管FET，其连接到所述锁存电路的第二侧和互补位线；以及 字线，其直接连接到所述第一非易失性场效应晶体管的栅极且直接连接到所述第二非易失性场效应晶体管的栅极， 其中，所述第一非易失性场效应晶体管FET位于所述锁存电路和所述位线之间，直接连接到所述锁存电路，且直接连接到所述位线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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