买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种增强型GaN HEMT射频器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114373798B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111475724.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种增强型GaN HEMT射频器件及其制备方法是由李国强;吴能滔;邢志恒;李善杰;曾凡翊;罗玲设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强型GaN HEMT射频器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强型GaNHEMT射频器件及其制备方法，所述器件包括衬底、第一AlN插入层、GaN缓冲层、GaN沟道层、第二AlN插入层、AlGaN势垒层、p‑AlGaN层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极。本发明通过在真空度极高的情况下，采用Mg金属掺杂扩散AlGaN层并形成p‑AlGaN，与未被掺杂的AlGaN层形成p‑n结，耗尽栅下的2DEG，并覆盖一层HfO2来防止金属Mg发生氧化，从而实现了高频、低损耗的增强型射频器件，有利于简化栅驱动电路设计，降低射频集成电路的功耗和射频信号的损耗，同时也起到了安全保护电路的作用。

本发明授权一种增强型GaN HEMT射频器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型GaNHEMT射频器件，其特征在于，由下至上依次包括衬底、第一AlN插入层、GaN缓冲层、GaN沟道层、第二AlN插入层及AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层上设置漏金属电极和源金属电极，所述漏金属电极和源金属电极分别位于AlGaN势垒层上，漏金属电极和源金属电极与AlGaN势垒层之间形成欧姆接触，栅金属电极的下方设置p-AlGaN层，所述p-AlGaN层嵌入AlGaN势垒层，使得栅金属电极与AlGaN势垒层之间形成肖特基接触； 所述栅金属电极为T型栅结构； 在制备时，在AlGaN势垒层外延片进行光刻，暴露出栅金属电极区域，进行蒸镀Mg金属和HfO2层，退火后形成p-AlGaN层，p-AlGaN层通过与未被扩散的AlGaN层形成p-n结，有效耗尽栅下的2DEG，实现栅长为0.25μm以下的增强型射频器件； 在蒸镀Mg的基础上，再覆盖一层HfO2，防止金属Mg在蒸镀和剥离过程中发生氧化，同时HfO2还作为栅介质，这对于抑制器件电流崩塌至关重要。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华南理工大学，其通讯地址为：510640 广东省广州市天河区五山路381号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。