长鑫存储技术有限公司夏军获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111514833.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构是由夏军;左明光;白世杰设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括，形成第一层叠结构，在第一层叠结构中形成第一目标结构，在第一层叠结构上形成第二层叠结构，在第二层叠结构中形成与第一目标结构接触的第二目标结构。在本公开中，将形成目标结构的制程分为形成第一目标结构和形成第二目标结构两次制程，减小了每次形成目标结构的制程的深度，减小了制程深宽比过大对制程的影响。
本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于， 包括： 形成第一层叠结构，在所述第一层叠结构中形成第一目标结构，在所述第一层叠结构上形成第二层叠结构，在所述第二层叠结构中形成与所述第一目标结构接触的第二目标结构； 所述形成第一层叠结构，在所述第一层叠结构中形成第一目标结构的步骤包括： 依次形成第一牺牲层和第一支撑层； 图形化所述第一牺牲层和所述第一支撑层，在所述第一层叠结构中形成第一目标图形孔； 在所述第一目标图形孔中形成所述第一目标结构； 所述形成第二层叠结构，在所述第二层叠结构中形成第二目标结构的步骤包括： 在所述第一层叠结构上依次形成第二支撑层和介质层； 图形化所述第二支撑层和所述介质层，在所述第二层叠结构中形成第二目标图形孔，所述第二目标图形孔至少暴露出部分所述第一目标结构； 在所述第二目标图形孔中形成所述第二目标结构； 所述制作方法还包括： 去除部分所述第二层叠结构和部分所述第一层叠结构，被保留的所述第二层叠结构和所述第一层叠结构形成支撑结构。
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