华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司董俊获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种检测外延生长后图形偏移的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267622B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111541427.9，技术领域涉及：H01L21/68；该发明授权一种检测外延生长后图形偏移的方法是由董俊;张顾斌;王雷设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种检测外延生长后图形偏移的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种检测外延生长后图形偏移的方法，在晶圆上形成多个当层图形；对晶圆上的多个当层图形进行外延生长，外延后的当层图形分别形成两类标记，其中一类命名为A对准标记，另一类命名为B对准标记；利用视觉成像对位光刻机形成与A对准标记对应的A套刻标记；利用高阶衍射对位光刻机形成与B对准标记对应的B套刻标记；分别量测所述A对准标记与A套刻标记之间的A套刻精度以及B对准标记与B套刻标记之间的B套刻精度；将A套刻精度与B套刻精度进行差异化比较。本发明的方法通过量测两种不同对位系统曝光后的套刻标记的矢量图，来检测晶圆上的图形是否发生位置的漂移，可以用于检测外延生长后图形偏移的方向及程度。
本发明授权一种检测外延生长后图形偏移的方法在权利要求书中公布了：1.一种检测外延生长后图形偏移的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供晶圆，在所述晶圆上形成多个当层图形；所述多个当层图形为相同的图形结构； 步骤二、对所述晶圆上的所述多个当层图形进行外延生长，外延后的所述当层图形分别形成两类标记，其中一类命名为A对准标记，另一类命名为B对准标记；A对准标记和B对准标记是形状、大小及生长的外延层厚度均相同的图形结构； 步骤三、利用视觉成像对位光刻机形成与所述A对准标记对应的A套刻标记；利用高阶衍射对位光刻机形成与所述B对准标记对应的B套刻标记； 步骤四、分别量测所述A对准标记与所述A套刻标记之间的A套刻精度以及所述B对准标记与所述B套刻标记之间的B套刻精度； 步骤五、将所述A套刻精度与所述B套刻精度进行差异化比较。
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