深圳航天科技创新研究院;徐征;何为;廖英翔;吴嘉敏徐征获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳航天科技创新研究院;徐征;何为;廖英翔;吴嘉敏申请的专利移动磁共振设备的半导体散热系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114415089B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111582217.4,技术领域涉及:G01R33/28;该发明授权移动磁共振设备的半导体散热系统是由徐征;温开旭;何为设计研发完成,并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本移动磁共振设备的半导体散热系统在说明书摘要公布了:一种移动磁共振设备的半导体散热系统,包括梯度功率放大器、射频功率放大器及谱仪,其特征在于,该系统设有半导体制冷单元、温度控制单元及冷风风道单元,冷风风道单元包括主冷风风道及第一出风口和第二出风口,第一出风口通向梯度功率放大器,第二出风口通向射频功率放大器及谱仪。温度控制单元设于半导体制冷单元一侧,在主冷风风道的另一端设有半导体制冷单元,该半导体制冷单元包括送出热风的散热组件及送入冷风的冷风组件,在散热组件与冷风组件之间设有半导体制冷片,该半导体制冷片两侧通过导热硅脂分别与散热组件及冷风组件相连接。本发明可精确控温,结构紧凑,散热效率高,可有效提高小型可移动设备工作稳定性。
本发明授权移动磁共振设备的半导体散热系统在权利要求书中公布了:1.一种移动磁共振设备的半导体散热系统,包括梯度功率放大器10、射频功率放大器20及谱仪30,其特征在于,该系统设有半导体制冷单元40、温度控制单元50及冷风风道单元60,所述冷风风道单元60包括主冷风风道61和设于主冷风风道侧面及端部的第一出风口62和第二出风口63,所述第一出风口62通向所述梯度功率放大器10,第二出风口63通向所述射频功率放大器20及谱仪30,所述温度控制单元设于所述半导体制冷单元40一侧,在所述主冷风风道61的另一端设有所述的半导体制冷单元40,该半导体制冷单元40包括送出热风的散热组件41及送入冷风的冷风组件42,在散热组件41与冷风组件42之间设有半导体制冷片43,该半导体制冷片43两侧通过导热硅脂44分别与所述散热组件41及冷风组件42相连接,所述半导体制冷单元的散热组件41包括散热风扇411和第一散热片412,所述第一散热片412设于所述散热风扇411出风端的相反侧,该第一散热片412通过导热硅脂44与所述半导体制冷片43连接,所述半导体制冷单元的冷风组件42包括冷风扇421和第二散热片422,所述第二散热片422设于所述冷风扇421出风端的相反侧,该第二散热片422通过导热硅脂44与所述半导体制冷片43连接,所述主冷风风道61为扁方形管状壳体,设于主冷风风道61上的第一出风口62和第二出风口63由位于两者之间的弧形隔板64隔开,所述弧形隔板64上设有连通主冷风风道61与第一出风口62和第二出风口63的过风格栅641,所述第一出风口62设于主冷风风道61的一侧,其由设于主冷风风道61一侧的侧边框而形成;所述第二出风口63设于主冷风风道61远离所述温度控制单元50的一端端部,其由设于该端部的边框而形成,所述温度控制单元50包括多个温度传感器51、电源切换模块52、采集控制器MCU、可控恒流源53及风扇调速模块54,所述多个温度传感器51设于所述第一出风口62和第二出风口63处,多个温度传感器51及电源切换模块52分别与所述采集控制器MCU连接,所述电源切换模块52还分别与可控恒流源53和风扇调速模块54相连接,所述可控恒流源53与所述半导体制冷片43相连接,所述风扇调速模块54分别与所述散热风扇411和冷风扇421相连接,所述半导体制冷单元40和温度控制单元50与所述冷风风道单元60集成为一体,形成用于小型可移动磁共振设备的半导体散热系统。
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