长江存储科技有限责任公司黄文龙获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器的制作方法、存储器以及存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678375B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210291959.X，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权存储器的制作方法、存储器以及存储器系统是由黄文龙;李思晢;刘沙沙;张天辉;高晶;霍宗亮设计研发完成，并于2022-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器的制作方法、存储器以及存储器系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种存储器的制作方法、存储器以及存储器系统，该方法包括：在衬底上形成堆叠层，堆叠层具有靠近衬底的第一侧与背离所述衬底的第二侧；形成贯穿堆叠层并延伸至衬底内的存储沟道孔；去除衬底；从第一侧在存储沟道孔中形成存储沟道结构，存储沟道结构包括存储功能层和沟道层，且具有靠近第二侧的第二端部；去除第二端部中的存储功能层，并暴露出第二端部中的沟道层；在堆叠层的所述第二侧上形成半导体层，半导体层覆盖暴露出的沟道层，从而能在不损伤存储沟道结构的前提下，制作高度统一的存储沟道结构，提高存储器性能，且有利于降低沟道孔的制作要求，降低工艺难度。
本发明授权存储器的制作方法、存储器以及存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制作方法，其特征在于，所述存储器包括存储阵列器件，所述制作方法包括： 在衬底上形成堆叠层，所述堆叠层具有靠近所述衬底的第一侧与背离所述衬底的第二侧； 形成贯穿所述堆叠层并延伸至所述衬底内的存储沟道孔； 去除所述衬底； 从所述第一侧在所述存储沟道孔中形成存储沟道结构，所述存储沟道结构包括存储功能层和沟道层，且具有靠近所述第二侧的第二端部； 去除所述第二端部中的所述存储功能层，并暴露出所述第二端部中的所述沟道层； 在所述堆叠层的所述第二侧上形成半导体层，所述半导体层覆盖暴露出的所述沟道层，以得到所述存储阵列器件。
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