武汉光迅科技股份有限公司张成获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉光迅科技股份有限公司申请的专利一种高速TO-CAN光发射组件及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117148512B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210533542.X,技术领域涉及:G02B6/42;该发明授权一种高速TO-CAN光发射组件及其制作方法是由张成;伍斌;陈洲;郑庆立设计研发完成,并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高速TO-CAN光发射组件及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种高速TO‑CAN光发射组件及其制作方法,包括:TO底座10、激光二极管20、陶瓷基板30、过渡块40、光电探测器50和TO帽60,所述陶瓷基板30安装在所述TO底座10上,所述激光二极管20安装在所述陶瓷基板30上,所述过渡块40安装在所述TO底座10上,所述光电探测器50安装在所述过渡块40上,所述TO帽60安装在所述TO底座10上并与所述TO底座10配合形成气密封装。本发明在保留传统的同轴封装结构的优势的基础上,可以满足50Gbps传输速率以上的高速发射的应用要求,降低了生产工艺的复杂性以及生产的成本,进一步的,本发明还能提高阻抗匹配电路的精确匹配程度和维护的便捷性,进而提升光发射组件的应用范围。
本发明授权一种高速TO-CAN光发射组件及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种高速TO-CAN光发射组件,其特征在于,包括:TO底座(10)、激光二极管(20)、陶瓷基板(30)、过渡块(40)、光电探测器(50)和TO帽(60),所述陶瓷基板(30)安装在所述TO底座(10)上,所述激光二极管(20)安装在所述陶瓷基板(30)上,所述过渡块(40)安装在所述TO底座(10)上并位于所述激光二极管(20)的背向出光面下方,所述光电探测器(50)安装在所述过渡块(40)上并用于监控所述激光二极管(20)的出光功率,所述TO帽(60)安装在所述TO底座(10)上并与所述TO底座(10)配合形成气密封装,所述激光二极管(20)、所述陶瓷基板(30)、所述过渡块(40)和所述光电探测器(50)分别位于气密封装内部; 其中,所述陶瓷基板(30)包括陶瓷基板基材(301)、第一微带线(302)、微带薄膜电阻(303)和第二微带线(304),所述第一微带线(302)和所述第二微带线(304)分别设于所述陶瓷基板基材(301)上,所述微带薄膜电阻(303)串接在所述第二微带线(304)上,所述微带薄膜电阻(303)用于实现所述激光二极管(20)的高频信号的阻抗匹配; 所述微带薄膜电阻(303)由一圆形绝缘基板和6个子电阻构成,形成由所述圆形绝缘基板中心区域按照60°间隔,向所述圆形绝缘基板边缘发散的图形结构;所述6个子电阻一端通过所述圆形绝缘基板中心区域实现电气特性互通,所述6个子电阻的另一端分别各自对应所述圆形绝缘基板边缘的6个焊盘;所述第二微带线(304)由第一部(3041)和第二部(3042)构成,所述第一部(3041)和所述第二部(3042)上各自分别制作有两个焊盘,所述焊盘用于与所述圆形绝缘基板中相对的4个子电阻完成焊接;通过选配不同的4个子电阻与所述激光二极管(20)完成阻抗匹配。
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