长江先进存储产业创新中心有限责任公司周凌珺获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利相变存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843305B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210590403.0，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权相变存储器及其制备方法是由周凌珺;杨红心;刘峻设计研发完成，并于2022-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种相变存储器及其制备方法，所述相变存储器包括：沿第一方向依次堆叠设置的第一导电线、相变存储单元和第二导电线，所述第一导电线沿第二方向延伸，所述第二导电线沿第三方向延伸，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向相互垂直；所述相变存储单元包括相变存储层，所述相变存储层的组成材质包括A‑Ga‑Sb‑Te材料，其中，A的含量为amol％，且0＜a≤20，Ga的含量为bmol％，且0＜b≤50，Sb的含量为cmol％，且20≤c≤90，Te的含量为100‑a‑b‑cmol％；所述A元素用于调控所述相变存储单元的循环能力。
本发明授权相变存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器，其特征在于，包括： 沿第一方向依次堆叠设置的第一导电线、相变存储单元和第二导电线，所述第一导电线沿第二方向延伸，所述第二导电线沿第三方向延伸，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向相互垂直； 所述相变存储单元包括相变存储层，所述相变存储层的组成材质包括A-Ga-Sb-Te材料，其中，A的含量为amol％，且0＜a≤20，Ga的含量为bmol％，且0＜b≤50，Sb的含量为cmol％，且20≤c≤90，Te的含量为100-a-b-cmol％；所述A元素包括碳、氮、氧或硅中的至少一种，用于调控所述相变存储单元的循环能力； 所述相变存储单元还包括两个电极层，两个所述电极层沿所述第一方向设置在所述相变存储层的相对两侧，所述两个电极层和所述相变存储层接触； 所述相变存储层和所述电极层之间的黏附力用能量释放率表征，且满足所述能量释放率大于或等于0.7Jm2。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江先进存储产业创新中心有限责任公司，其通讯地址为：430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号