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龙图腾网获悉北京航空航天大学杭州创新研究院申请的专利基于core-shell的MTJ、磁存储器件及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036416B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210616812.3，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权基于core-shell的MTJ、磁存储器件及方法是由曾琅;赵雯;高天琦;王艺涵;石云姣;蔡雨设计研发完成，并于2022-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于core-shell的MTJ、磁存储器件及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于core‑shell的MTJ、磁存储器件及方法，MTJ包括：重金属环层和依次层叠设置的固定层、间隔层和自由层；重金属环层套设于自由层的外侧壁上；固定层和自由层均采用铁磁性材料；间隔层采用非磁性金属材料或氧化物类绝缘材料；自由层和重金属环层的顶端为电流输入端，固定层的底部为电流输出端。所述的MTJ器件为双端口器件，基于重金属环层套设于自由层外围的结构，能够提高MTJ器件的翻转效率，并且能够利于MTJ器件进一步微缩，实现器件的小型化。

本发明授权基于core-shell的MTJ、磁存储器件及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于core-shell的MTJ，其特征在于，所述MTJ器件包括：重金属环层和依次层叠设置的固定层、间隔层和自由层； 所述重金属环层套设于所述自由层的外侧壁上； 所述固定层和所述自由层均采用铁磁性材料； 所述间隔层采用非磁性金属材料或氧化物类绝缘材料； 所述自由层和所述重金属环层的顶端为电流输入端，所述固定层的底部为电流输出端； 所述重金属环层，用于向所述自由层的顶端注入电流时，在自旋霍尔效应的作用下产生自旋极化电流，并将所述自旋极化电流扩散至所述自由层； 所述自由层，用于将所述自旋极化电流通入所述间隔层和所述固定层，基于自旋轨道力矩和所述自由层和间隔层的界面处产生的自旋转移力矩，对所述自由层的磁矩进行翻转； 所述重金属环层的电阻小于所述自由层的电阻，电流主要流经重金属环层，产生自旋轨道力矩效应； 所述重金属环层中的电流与所述自由层中的电流将一同流入到间隔层和固定层,在自旋转移力矩效应的作用下，在自由层与间隔层的界面处将会产生一个自旋转移矩；在自旋轨道力矩效应与自旋转移力矩效应的作用下，将产生自旋轨道力矩与自旋转移力矩，并共同作用于自由层的磁矩，使其发生翻转。

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