买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉江美半导体(广州)有限公司申请的专利电容器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084103B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210722000.7，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权电容器及其制造方法是由刘彦;梁毅设计研发完成，并于2022-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本电容器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种电容器及其制造方法，包括电容单元，所述电容单元具有相对的第一侧和第二侧，在所述电容单元的第一侧，位于偶数层的所述第二导电层与位于其下一层奇数层的所述第二导电层的侧壁对齐，并暴露出位于其下一层偶数层的所述第二导电层的部分上表面；和或，在所述电容单元的第二侧，位于奇数层的所述第二导电层与位于其下一层偶数层的所述第二导电层的侧壁对齐，并暴露出位于其下一层奇数层的所述第二导电层的部分上表面，由此可以减少光罩的使用，降低制造成本；或者在光罩数量不减少的情况下可以暴露出更多层第二导电层以引出接线，提高电容器的电容密度；或者可以降低对于后续形成的接触导电结构的工艺要求，提高电容器的可靠性。

本发明授权电容器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器的制造方法，其特征在于，所述电容器的制造方法包括： 提供基底，所述基底中形成有沟槽； 在所述基底上形成第一导电层，所述第一导电层覆盖所述沟槽内壁并延伸覆盖所述基底表面； 在所述第一导电层上依次形成N层电容层，每层所述电容层包括层叠的一层介电层及一层第二导电层，所述N为大于1的自然数；以及 利用光罩组合形成曝光区，并对所述曝光区中的所述N层电容层执行刻蚀工艺，以形成电容单元，所述电容单元具有相对的第一侧和第二侧，在所述电容单元的第一侧，位于偶数层的所述第二导电层与位于其下一层奇数层的所述第二导电层的侧壁对齐，并暴露出位于其下一层偶数层的所述第二导电层的部分上表面；和或，在所述电容单元的第二侧，位于奇数层的所述第二导电层与位于其下一层偶数层的所述第二导电层的侧壁对齐，并暴露出位于其下一层奇数层的所述第二导电层的部分上表面； 其中，利用光罩组合形成曝光区，并对所述曝光区中的所述N层电容层执行刻蚀工艺，以形成电容单元至少包括： 利用第一光罩形成第一曝光区，所述第一曝光区暴露出所述N层电容层中第一电容层的部分表面，并刻蚀去除所述第一曝光区中暴露出的所述第一电容层，或者刻蚀去除所述第一曝光区中暴露出的所述第一电容层及其下一层的电容层；以及 利用第二光罩形成第二曝光区，所述第二曝光区暴露出所述N层电容层中第二电容层的部分表面，并刻蚀去除所述第二曝光区中暴露出的所述第二电容层及其下一层的电容层，或者刻蚀去除所述第二曝光区中暴露出的所述第二电容层； 其中，先执行利用第一光罩形成第一曝光区后执行利用第二光罩形成第二曝光区，或者，先执行利用第二光罩形成第二曝光区后执行利用第一光罩形成第一曝光区； 所述第一电容层和所述第二电容层为同一层电容层或者不同层电容层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江美半导体(广州)有限公司，其通讯地址为：511455 广东省广州市南沙区黄阁镇望江二街1号2404房A33；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。