中国科学院脑科学与智能技术卓越创新中心赵郑拓获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院脑科学与智能技术卓越创新中心申请的专利用于通过血管将电极植入脑部的介入装置和医疗设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117281589B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210697115.5,技术领域涉及:A61B17/34;该发明授权用于通过血管将电极植入脑部的介入装置和医疗设备是由赵郑拓;李雪;王兴昭设计研发完成,并于2022-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于通过血管将电极植入脑部的介入装置和医疗设备在说明书摘要公布了:本公开涉及一种用于通过血管将电极植入脑部的介入装置,所述血管具有血管通道和血管壁,其特征在于,所述介入装置包括:第一引导件,所述第一引导件的远端能够在血管通道内向远侧移动并且在血管通道中建立第一支撑点;第二引导件,所述第二引导件的远端能够穿过第一引导件在血管通道内向远侧移动并且在血管通道中建立第二支撑点,使得第二引导件在第一支撑点与第二支撑点之间弧形地延伸;以及穿刺套件,所述穿刺套件用于携带电极,并且所述穿刺套件的远端能够穿过第一引导件在血管通道内向远侧移动并且在第一支撑点与第二支撑点之间的目标穿刺区域中刺穿血管壁,从而将携带的电极植入脑部。此外,本公开涉及一种医疗设备。
本发明授权用于通过血管将电极植入脑部的介入装置和医疗设备在权利要求书中公布了:1.一种用于通过血管将电极植入脑部的介入装置,所述血管具有血管通道和血管壁,其特征在于,所述血管包括主血管和支血管,所述介入装置包括: 第一引导件,所述第一引导件的远端能够在血管通道内向远侧移动并且在血管通道中建立第一支撑点,所述第一支撑点位于主血管中; 第二引导件,所述第二引导件的远端能够穿过第一引导件在血管通道内向远侧移动并且在血管通道中建立第二支撑点,使得第二引导件在第一支撑点与第二支撑点之间弧形地延伸,所述第二支撑点位于支血管中;以及 穿刺套件,所述穿刺套件用于携带电极,并且所述穿刺套件的远端能够穿过第一引导件在血管通道内向远侧移动并且在第一支撑点与第二支撑点之间的目标穿刺区域中刺穿血管壁,从而将携带的电极植入脑部,所述目标穿刺区域处于由所述第一引导件的中心轴线与所述第二引导件形成的夹角区域中,并且刺穿血管壁所沿的方向基于所述第一支撑点和所述第二支撑点的位置调整, 其中,所述第二引导件和所述穿刺套件能够彼此独立地在所述第一引导件内被引导。
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