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龙图腾网获悉上海瞻芯电子科技有限公司申请的专利具有终端保护结构的碳化硅器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241069B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210714319.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权具有终端保护结构的碳化硅器件的制造方法是由黄海涛;张永熙;陈伟设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有终端保护结构的碳化硅器件的制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种具有终端保护结构的碳化硅器件的制造方法。该方法包括：在衬底上生成第一介质层，衬底的材料包括碳化硅；在衬底中形成碳化硅器件的目标区域，并去除第一介质层，目标区域包括JFET区域、体区域、N型源掺杂区域和P型掺杂区域；在目标区域的上方生成栅极区域，对衬底进行刻蚀形成隔离沟槽；在预设覆盖对象上方形成连续的第二介质层，预设覆盖对象至少为隔离沟槽；其中，碳化硅器件的终端保护结构包括隔离沟槽和第二介质层，隔离沟槽的位置与JFET区域、N型源掺杂区域和P型掺杂区域均不同。所制造出的碳化硅器件中终端保护结构的特征长度短、所占用的器件面积小、性能好、工艺简单，能够减小器件尺寸，降低成本。

本发明授权具有终端保护结构的碳化硅器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有终端保护结构的碳化硅器件的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底上生成第一介质层，所述衬底的材料包括碳化硅； 在所述衬底中形成所述碳化硅器件的目标区域，并去除所述第一介质层，所述目标区域包括JFET区域、体区域、N型源掺杂区域和P型掺杂区域； 在所述目标区域的上方生成栅极区域，以及对所述衬底进行刻蚀形成隔离沟槽，所述衬底包括碳化硅层和外延层，所述隔离沟槽的深度小于所述外延层厚度的0.5倍； 在预设覆盖对象上方形成连续的第二介质层，完成所述碳化硅器件的制造，所述预设覆盖对象至少包括所述隔离沟槽，所述第二介质层的厚度为0.5μm-2.5μm； 其中，所述碳化硅器件的终端保护结构包括所述隔离沟槽和所述第二介质层，所述终端保护结构的特征长度为15μm-20μm，所述隔离沟槽的位置与所述JFET区域、所述N型源掺杂区域和所述P型掺杂区域均不同、位于所述目标区域的外侧； 其中，在所述目标区域的上方生成栅极区域，以及对所述衬底进行刻蚀形成隔离沟槽，包括： 在所述衬底上方形成中间介质层； 基于所述衬底上方需要覆盖的栅介质层的形状和尺寸，对所述中间介质层进行刻蚀，得到刻蚀后中间介质层； 对所述衬底以及所述刻蚀后中间介质层的表面进行热氧化，以使得所述衬底的表层被氧化的形成栅介质层、所述刻蚀后中间介质层的表面被氧化的形成氧化层，以及在所述栅介质层和所述刻蚀后中间介质层上方形成多晶硅层； 对所述多晶硅层进行刻蚀，以在所述目标区域的上方生成栅极区域； 依次对所述刻蚀后中间介质层和所述衬底进行刻蚀，形成隔离沟槽； 其中，若所述衬底上方存在剩余所述刻蚀后中间介质层，则所述预设覆盖对象还包括：裸露的所述栅介质层、剩余的所述多晶硅层和剩余刻蚀后中间介质层。

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