长鑫存储技术有限公司刘建磊获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及其制作方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799318B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210726023.5，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体器件及其制作方法、存储器是由刘建磊设计研发完成，并于2022-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法、存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体器件及其制作方法、存储器，半导体器件包括：有源层，包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区；栅介质层，位于所述沟道区上；栅导电层，位于所述栅介质层上；第一隔离层，位于所述栅介质层上，且覆盖所述栅导电层的侧壁；第一绝缘层，包括第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖所述栅介质层和所述第一隔离层靠近所述漏极区的侧壁，所述第二部分位于所述漏极区上；第二隔离层，位于所述第二部分上，且覆盖所述第一部分的侧壁。
本发明授权半导体器件及其制作方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 有源层，包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区； 栅介质层，位于所述沟道区上； 栅导电层，位于所述栅介质层上； 第一隔离层，位于所述栅介质层上，且覆盖所述栅导电层的侧壁； 第一绝缘层，包括第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖所述栅介质层和所述第一隔离层靠近所述漏极区的侧壁，所述第二部分位于所述漏极区上； 第二隔离层，位于所述第二部分上，且覆盖所述第一部分的侧壁； 其中，所述第二隔离层和所述有源层之间的所述第二部分的厚度小于所述第一隔离层和所述有源层之间的所述栅介质层的厚度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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