无锡韦感半导体有限公司陈骁获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡韦感半导体有限公司申请的专利一种微机械凸起结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114988344B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210722856.4，技术领域涉及：B81B3/00；该发明授权一种微机械凸起结构及其制备方法是由陈骁;何政达;万蔡辛;赵成龙;蔡春华;巩啸风;蒋樱;林谷丰设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微机械凸起结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种微机械凸起结构及其制备方法，所述凸起结构的材料为单一绝缘材料或是绝缘材料与导电材料构成的复合层材料，用于防止可动结构运动时相邻结构相互粘合。制备方法的步骤为：沉积下结构薄膜材料并进行图形化；沉积牺牲层，光刻刻蚀形成凹坑；沉积凸起结构薄膜材料，填充牺牲层表面凹坑，形成凸起结构；利用CMP进行表面平坦化并局部定义凸起结构：若凸起结构为复合材料，CMP磨平至复合层下层材料表面，再光刻刻蚀去除无效复合层下层材料；若凸起结构为单一材料，CMP磨平至牺牲层表面；沉积上结构薄膜材料；通过释放孔释放牺牲层得到凸起结构。本发明实现了通过凸起结构防止相邻结构粘合，同时，选用导电材料设计增加电容元件的灵敏度。
本发明授权一种微机械凸起结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微机械凸起结构，其特征在于，所述凸起结构的材料为绝缘材料或为绝缘材料与导电材料构成的复合层材料，用于防止可动结构运动时相邻结构相互粘合；所述凸起结构的材料为绝缘材料与导电材料构成的复合层材料时，所述导电材料设置在绝缘材料的内部，用于在电容器中防止极板间粘合、漏电，同时改变电容器的电容； 所述导电材料为多晶硅或非晶硅； 所述绝缘材料为氮化硅； 所述凸起结构和内部的导电材料呈柱体、锥体、台体或倒火山口形状。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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