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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于伪电阻开关的动态视觉传感器芯片开关电容放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347898B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210752328.3，技术领域涉及：H03M1/12；该发明授权基于伪电阻开关的动态视觉传感器芯片开关电容放大器是由李先锐;程俊;窦自强;石光明;吴金建设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于伪电阻开关的动态视觉传感器芯片开关电容放大器在说明书摘要公布了：本发明提出了一种基于伪电阻开关的动态视觉传感器芯片开关电容放大器，用于机器视觉、无人驾驶等领域，包括输入电容、反馈电容、运算放大器和伪电阻开关。伪电阻开关包括一个复位开关P型金属氧化物半导体PMOS管和一个或多个并联的N型金属氧化物半导体NMOS管组，或包括一个复位开关NMOS管和一个或多个并联的PMOS管组，一个MOS管组包括两个串联的、采用二极管连接方式的MOS管。本发明伪电阻开关能够提供一路和复位开关泄露电流大小相等方向相反的电流，且在开关电容放大器的输入负端和输出端之间表现出一个较大的等效阻抗，并降低开关电容放大器输出端的等效电感，有效提高动态视觉传感器芯片输出数据的可靠性和精确度。

本发明授权基于伪电阻开关的动态视觉传感器芯片开关电容放大器在权利要求书中公布了：1.一种基于伪电阻开关的动态视觉传感器芯片开关电容放大器，包括输入电容C1、反馈电容C2、运算放大器AMP；所述AMP的输入正端Vref、输入负端Vx、输出端Vdiff分别与外界的基准电压源、前级的电压跟随器的输出端Vlog、后级的高阈值比较器的输入正端和低阈值比较器的输入负端相连；所述C1加载在Vlog与Vx之间；所述C2加载在Vx与Vdiff之间；其特征在于，还包括由复位开关P型互补金属氧化物半导体PMOS管M1和一个或多个并联的N型互补金属氧化物半导体NMOS管组组成的伪电阻开关，每个NMOS管组包括采用二极管连接方式连接的第一NMOS管M2和第二NMOS管M3；所述复位开关PMOS管M1，其栅端与外界的逻辑电路复位信号输出端RST相连，衬底与电源VDD相连，源端与Vdiff相连，漏端与Vx相连；M1的导通和关断由外界的逻辑电路复位信号控制，外界的逻辑电路复位信号为低电平时，M1导通；外界的逻辑电路复位信号为高电平时，M1关断；所述第一NMOS管M2的漏端和栅端与Vx相连，衬底与地GND相连；所述第二NMOS管M3的漏端和栅端与Vdiff相连，衬底与GND相连，源端与M2的源端相连；M2和M3均采用二极管连接方式进行连接并串联在一起。

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