台湾积体电路制造股份有限公司高韵峯获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利物理不可克隆功能器件、半导体器件及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115473644B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210775368.X，技术领域涉及：H04L9/32；该发明授权物理不可克隆功能器件、半导体器件及其操作方法是由高韵峯;姜慧如设计研发完成，并于2022-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本物理不可克隆功能器件、半导体器件及其操作方法在说明书摘要公布了：物理不可克隆功能PUF器件包括第一反相器和第二反相器，第一反相器和第二反相器中的每个包括公共栅极节点和公共漏极节点。第一反相器的公共漏极节点电连接至第二反相器的公共栅极节点。PUF器件还包括：公共输出节点；第一RMD，电连接至第一反相器的公共漏极节点和公共输出节点；以及第二RMD，电连接至第二反相器的公共漏极节点和公共输出节点。本发明的实施例还涉及半导体器件及其操作方法。
本发明授权物理不可克隆功能器件、半导体器件及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种物理不可克隆功能PUF器件，包括： 第一反相器和第二反相器，所述第一反相器和所述第二反相器中的每个包括： 公共栅极节点；和 公共漏极节点，其中，所述第一反相器的所述公共漏极节点电连接至所述第二反相器的所述公共栅极节点，所述第一反相器和所述第二反相器串联连接在所述第一反相器的所述公共栅极节点和所述第二反相器的所述公共漏极节点之间，并且被配置为通过所述第一反相器的所述公共栅极节点处的电压变化，进而通过所述第一反相器的所述公共漏极节点处的电压变化，引起所述第二反相器的所述公共漏极节点处的电压变化； 公共输出节点； 第一电阻式存储器器件RMD，电连接至所述第一反相器的所述公共漏极节点和所述公共输出节点；以及 第二电阻式存储器器件，电连接至所述第二反相器的所述公共漏极节点和所述公共输出节点， 其中，所述第一反相器配置为接收编程电压，并且所述公共输出节点配置为在随机编程操作中浮置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号