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龙图腾网获悉环球晶圆股份有限公司申请的专利晶片抛光装置及晶片抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115707558B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210814654.2，技术领域涉及：B24B29/02；该发明授权晶片抛光装置及晶片抛光方法是由吴伟立;张志暐;梁修启;余文怀;徐文庆设计研发完成，并于2022-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片抛光装置及晶片抛光方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种适于抛光晶片的晶片抛光装置及晶片抛光方法。晶片抛光装置包括抛光载盘、转台、数据库、输入单元及控制单元。抛光载盘适于固定晶片。转台对应于抛光载盘设置。转台适于使抛光垫放置于其上，以使抛光垫适于面向晶片。控制单元连接于抛光载盘、转台、数据库及输入单元。数据库存储抛光参数数组。抛光参数数组包括对应于抛光载盘的第一转速、对应于转台的第二转速以及晶片抛光数据。第一转速为N1转分。第二转速为N2转分，其中：30≦N1≦75或10≦N2≦60；且N1N2＝Q1，N2N1＝Q2，Q1及Q2皆不为自然数。

本发明授权晶片抛光装置及晶片抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片抛光装置，其特征在于，适于抛光晶片，且包括： 抛光载盘，适于固定所述晶片； 转台，对应于所述抛光载盘设置，且适于使抛光垫放置于其上，以使所述抛光垫的盘面适于面向所述晶片； 数据库； 输入单元；以及 控制单元，信号连接于所述抛光载盘、所述转台、所述数据库及所述输入单元，其中所述数据库存储至少一组抛光参数数组，所述抛光参数数组包括： 对应于所述抛光载盘的第一转速； 对应于所述转台的第二转速；以及 对应于所述第一转速及所述第二转速的晶片抛光数据，其中所述第一转速为N1转分，所述第二转速为N2转分，且所述第一转速和所述第二转速具有以下关系： 30≤N1≤75，10≤N2≤60； N1N2＝Q1，N2N1＝Q2，Q1及Q2皆不为自然数； Q1或Q2的至少其中之一为3位以上有限小数或无限小数； N1及N2的最大公因子大于或等于5；和 所述晶片抛光数据包括所述抛光载盘的所述第一转速及所述抛光垫的所述第二转速对应的面积重复率，且所述面积重复率小于或等于40％，其中所述面积重复率为：于抛光周期时间内，单片的所述晶片与所述抛光垫相接触的轨迹面积对单片的所述晶片的行径面积的比值。

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