福建省晋华集成电路有限公司陈旋旋获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利存储器件以及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360194B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210866481.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器件以及其制造方法是由陈旋旋;上官明沁;叶长福;吕佐文设计研发完成，并于2022-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件以及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储器件以及其制造方法。存储器件包括基底、多个沟槽、氧化物半导体层、栅极介电层和多个字线结构。基底包括多个有源区与位于有源区之间的隔离结构，且有源区含有硅。多个沟槽设置在有源区与隔离结构中。氧化物半导体层共形地设置在各沟槽中，而栅极介电层设置在该氧化物半导体层上且位于各沟槽中。多个字线结构设置在栅极介电层上且分别位于多个沟槽中，且栅极介电层的至少一部分设置在氧化物半导体层与各字线结构之间。存储器件的制造方法包括形成多个沟槽，在各沟槽中共形地形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成栅极介电层，在栅极介电层上形成多个字线结构。如此，可达到改善存储器件操作表现的效果。
本发明授权存储器件以及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，其特征在于，包括： 一基底，包括： 多个有源区；以及 一隔离结构，位于多个所述有源区之间，其中多个所述有源区含有硅； 多个沟槽，设置在多个所述有源区与所述隔离结构中；各所述沟槽与一个或多个所述有源区交错设置； 一氧化物半导体层，共形地设置在各所述沟槽中； 一栅极介电层，设置在所述氧化物半导体层上且位于各所述沟槽中；以及 多个字线结构，设置在所述栅极介电层上且分别位于多个所述沟槽中，且所述栅极介电层的至少一部分设置在所述氧化物半导体层与各所述字线结构之间； 一存储节点接触结构，设置在所述基底上，其中所述存储节点接触结构与多个所述有源区中的一个直接相连； 所述存储节点接触结构还与所述氧化物半导体层直接相连。
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