株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社朽木克博获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装;丰田自动车株式会社;未来瞻科技株式会社申请的专利用于基于氧化镓的半导体衬底的表面处理方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211103102.7，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权用于基于氧化镓的半导体衬底的表面处理方法及半导体器件是由朽木克博;片冈惠太;菊田大悟;三宅裕树;市川周平;长里喜隆设计研发完成，并于2022-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于基于氧化镓的半导体衬底的表面处理方法及半导体器件在说明书摘要公布了：在用于基于氧化镓的半导体衬底的表面处理方法中，通过以150V或更大的自偏压进行干蚀刻，使所述基于氧化镓的半导体衬底的表面平坦化。在使所述基于氧化镓的半导体衬底的表面平坦化之后，用含有H2SO4的化学溶液清洗基于氧化镓的半导体衬底的表面，以暴露基于氧化镓的半导体衬底的表面上的台阶阶梯结构。
本发明授权用于基于氧化镓的半导体衬底的表面处理方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.用于基于氧化镓的半导体衬底的表面处理方法，其包括： 通过以150V或更大的自偏压进行干蚀刻，使所述基于氧化镓的半导体衬底的表面平坦化；和 在使所述基于氧化镓的半导体衬底的表面平坦化之后，通过用含有H2SO4的化学溶液清洗所述基于氧化镓的半导体衬底的表面，来暴露所述基于氧化镓的半导体衬底的表面上的台阶阶梯结构。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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