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龙图腾网获悉四川大学;威海华腾海洋工程技术有限公司;宜昌华腾管道工程有限公司申请的专利一种任意缺陷漏磁场的快速计算方法、设备及存储设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115587509B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211137263.8，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种任意缺陷漏磁场的快速计算方法、设备及存储设备是由李红梅;赵春田;张仕忠设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种任意缺陷漏磁场的快速计算方法、设备及存储设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种任意缺陷漏磁场的快速计算方法、设备及存储设备，方法包括：基于实际检测系统，建立检测模型，模型包括磁化器、待测对象、检测磁场传感器，待测对象包含任意形状缺陷；对待测对象进行网格划分，得到划分网格后的待测对象的系列单元体；基于检测模型，设置磁化器的磁化参数；根据检测模型和磁化器参数，计算出待测对象的系列单元体所有节点处的磁荷密度值；根据待测对象系列单元的所有节点处的磁荷密度值，依据检测模型，计算出待测对象的检测区域的漏磁场。本发明适应任意复杂形状缺陷的漏磁场计算，且速度快、成本低，在漏磁检测样本数据计算方法，具有显著的优势。

本发明授权一种任意缺陷漏磁场的快速计算方法、设备及存储设备在权利要求书中公布了：1.一种任意缺陷漏磁场的快速计算方法，其特征在于：包括： S1、基于实际检测系统，建立检测模型，模型包括磁化器、待测对象、检测磁场传感器，待测对象包含任意形状缺陷； S2、对待测对象进行网格划分，得到划分网格后的待测对象的系列单元体； 系列单元体包括多个节点；每个节点具备节点坐标数据和节点编号数据； S3、基于检测模型，设置磁化器的磁化参数； S4、根据检测模型和磁化器参数，计算出待测对象的系列单元体所有节点处的磁荷密度值； S5、根据待测对象系列单元的所有节点处的磁荷密度值，依据检测模型，计算出待测对象的检测区域的漏磁场； 步骤S4中，首先根据磁化器的参数，得到待检对象系列单元体形心处的外部磁场强度； 待检对象系列单元体形心处任意场点坐标xf,yf,zf产生的磁场强度的三轴分量Hxf、Hyf、Hzf分别为： 其中，待检对象与励磁体接触面各单元中心坐标为x,y,0，接触面平行y轴的长度为2Ly，平行x轴的边长度为2Lx其上分布的面磁荷密度为σs。

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