杭州电子科技大学蔡佳林获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利基于GRU的GaN HEMT小信号模型建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115510750B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211203772.6，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权基于GRU的GaN HEMT小信号模型建模方法是由蔡佳林;朱泽根设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于GRU的GaN HEMT小信号模型建模方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于GRU的GaNHEMT小信号模型建模方法，本发明包括不同偏置状态、工作频率条件和温度下的行为特性的拟合与预测。所述晶体管行为特性建模方法，采用门控循环单元技术，根据晶体管的输入输出变化规律，通过对模型参数的优化和数据的处理，进一步提升了基GaN晶体管输出行为特性的精确率，建立了高精度和能有效表征小信号行为的晶体管模型。
本发明授权基于GRU的GaN HEMT小信号模型建模方法在权利要求书中公布了：1.基于GRU的GaNHEMT小信号模型建模方法，其特征在于：具体包括如下步骤： 101模型建立步骤：在宽频带状态下，测量GaNHEMT器件得出的S参数特征样本集合为n代表样本总数量，t代表当前频率点，其中xt∈Rd，yt∈r，yt表示S参数当前频率点的实部或者虚部，R代表实数集，d代表实数集的维度；网络中通过单元两个门处理输入数据：重置门和更新门；所有的运算由如下公式描述： 重置门: rt＝σWr·[xt,ht-1]+br公式1 更新门： zt＝σWz·[xt,ht-1]+bz公式4 状态更新： 其中σ·代表激活函数，Wr,WWz代表各个门中对应的权重矩阵；br,b,和bz为各个门中对应的偏置项；为矢量乘法，其中ht为当前时刻输出值； 102损失函数步骤：公式5中得到的当前频率的输出ht与实际测量数据yt之间的误差用均方误差函数衡量： 103模型训练步骤：步骤101中的权重与偏置需要根据MSE不断进行优化以达到最佳拟合效果； 104通过选择合适的超参数，以及优化器的应用，最终选取最优模型参数来拟合测试数据达到预测器件小信号行为。
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