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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于复合半导体层的垂直EGT及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115656297B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211309205.9，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权一种基于复合半导体层的垂直EGT及其制备方法是由徐洁;黄伟;解淼;程玉华设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于复合半导体层的垂直EGT及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于复合半导体沟道的EGT及其制备方法，主要包括衬底、源极、复合半导体层、漏极、封装层、电解质层以及栅极；在制备过程中，采用垂直结构的方式先制备衬底，并对衬底进行清洗并干燥；接着依次在衬底上制备源极，在源极上制备复合半导体层，在多孔半导体层上制备漏极，在衬底上制备封装层，并暴露出位于漏极与源极重叠部分，在漏极上方制备电解质层，最后制备与电解质层相连的栅极。

本发明授权一种基于复合半导体层的垂直EGT及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于复合半导体层的垂直EGT，其特征在于，包括：衬底、源极、复合半导体层、漏极、封装层、电解质层以及栅极； 所述衬底正中央设置矩形条状的源极，在源极的中央位置处设置方形复合半导体层，复合半导体层的宽度大于源极的宽度；在复合半导体层的中央位置处设置矩形条状的漏极，漏极的宽度小于复合半导体层的宽度；在漏极的中央位置处设置封装层，封装层的正中央开方形孔，此时从俯视图观察开孔的尺寸要满足漏极露出左、右块矩形条；所述封装层的上方覆盖电解质层，电解质层的大小要完全覆盖封装层的方形孔；在电解质层之上设置栅极，栅极与电解质层充分接触或者在复合半导体层的侧面设置栅极，栅极与源极位于同一平面； 在栅极上施加控制信号，在漏极和源极间的源漏电压作用下，电解质层中的离子能够通过半导体中导离子的聚合物渗透进入或析出复合半导体层内部，从而调控其中半导体的载流浓度，实现对EGT的电流调控； 其中，所述复合半导体层的厚度为100nm～5μm；具体由一种导离子的聚合物与另一种导电子或空穴的半导体组成，其中，聚合物选用具有良好导离子特性且不具备导电子或空穴的聚合物，具体选用聚乙二醇、全氟化聚乙二醇、聚乙二醇-聚甲基丙烯酸甲酯、壳聚糖、琼脂糖、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚乙烯氰基丙烯酸的一种；所述导电子或空穴的半导体的材料为二维半导体材料或氧化物半导体材料或钙钛矿半导体材料，具体选用石墨烯、二硫化钼、二硫化钨、二硒化钨、黑磷、硒化铟、氧化铟、氧化锌、氧化镓、氧化铟锌、氧化铟镓锌、甲胺铅碘、甲脒铅碘、甲胺铅溴、甲脒铅溴的一种。

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