电子科技大学黄伟获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于多孔半导体沟道的垂直OECT及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115656296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211309188.9，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权一种基于多孔半导体沟道的垂直OECT及其制备方法是由黄伟;陶柏宁;文劲杰;程玉华设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于多孔半导体沟道的垂直OECT及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于多孔半导体沟道的OECT及其制备方法，主要包括衬底、源极、多孔半导体层、漏极、封装层、电解质层以及栅极；在制备过程中，采用垂直结构的方式先制备衬底，并对衬底进行清洗并干燥；接着依次在衬底上制备源极，在源极上制备多孔半导体层，在多孔半导体层上制备漏极，在衬底上制备封装层，并暴露出位于漏极与源极重叠部分，在漏极上方制备电解质层，最后制备与电解质层相连的栅极。
本发明授权一种基于多孔半导体沟道的垂直OECT及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于多孔半导体沟道的OECT，其特征在于，包括：衬底、源极、多孔半导体层、漏极、封装层、电解质层以及栅极； 所述衬底正中央设置矩形条状的源极，在源极的中央位置处设置方形多孔半导体层，多孔半导体层的宽度大于源极的宽度；多孔在半导体层中为上下贯通，且靠近漏极的多孔的开口小于比靠近源极的多孔的开口；在多孔半导体层的中央位置处设置矩形条状的漏极，漏极的宽度小于多孔半导体层的宽度；在漏极的中央位置处设置封装层，封装层的正中央开方形孔，此时从俯视图观察开孔的尺寸要满足漏极露出与源极重叠部分的全部或部分区域；所述封装层的上方覆盖电解质层，电解质层的大小要完全覆盖封装层的方形孔；在电解质层之上设置栅极，栅极与电解质层充分接触，或者在多孔半导体层的侧面设置栅极，栅极与源极位于同一平面； 在栅极上施加控制信号，在漏极和源极间的源漏电压作用下，电解质层中的离子能够通过多孔渗透进入或析出半导体层内部，从而实现对OECT的电流调控。
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