买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所;江苏云涌电子科技股份有限公司申请的专利基于石墨烯的量子电阻芯片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498102B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211313444.1，技术领域涉及：H10N52/01；该发明授权基于石墨烯的量子电阻芯片的制备方法是由王浩敏;孔自强;王慧山;陈令修;肖相生设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于石墨烯的量子电阻芯片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于石墨烯的量子电阻芯片的制备方法，以氢气退火处理后的碳化硅为衬底，硅乙烷为气体催化剂，乙炔作为碳源，采用化学气相沉积法外延生长单层石墨烯，可制备均匀性较好的石墨烯结构，制备的量子电阻芯片在6T的磁场强度和4.5K的温度下，霍尔电阻测量准确度达到1.2×10‑8，同时相对不确定度达到3×10‑8，复现性达到3×10‑9，在半年内的磁输运特性具有高度稳定性，该量子电阻芯片具有小型化、集成度高、成本优化、经济效益高、适用性强的优点，可直接将该量子电阻芯片集成于便携式量子电阻标准测量系统，有利于推动精密测量行业的进一步发展。

本发明授权基于石墨烯的量子电阻芯片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于石墨烯的量子电阻芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供碳化硅衬底； 对所述碳化硅衬底进行退火处理； 以硅乙烷为气体催化剂，乙炔作为碳源，采用化学气相沉积法在退火处理后的所述碳化硅衬底表面进行外延生长，得到覆盖所述碳化硅衬底的单层石墨烯； 于所述单层石墨烯上形成图案化的电接触层； 图案化所述单层石墨烯，获得石墨烯结构，且所述石墨烯结构与所述电接触层相接触； 于所述电接触层上形成图案化的键合电极层，且所述键合电极层与所述电接触层电连接，所述电接触层包括钯金层，所述键合电极层包括钛金层；所述电接触层中，钯层厚度为5～10nm，金层厚度为30～50nm；所述键合电极层中，钛层厚度为5～10nm，金层厚度为50～100nm，所述键合电极层的横截面积大于所述电接触层的横截面积； 对所述石墨烯结构进行载流子浓度调控； 对所述石墨烯结构进行封装； 其中，形成所述电接触层、石墨烯结构及键合电极层的步骤包括： 提供掩模板，并置于所述单层石墨烯的表面； 采用电子束蒸发法或磁控溅射法沉积钯金层，以在所述单层石墨烯上形成电接触层； 将所述掩模板移除； 采用ICP蚀刻法获得石墨烯结构； 涂布光刻胶，通过激光直写法或电子束曝光法对所述光刻胶进行曝光，然后对曝光区域进行显影显露所述电接触层； 采用电子束蒸发法或磁控溅射法沉积钛金层，以在所述电接触层上形成键合电极层； 去除所述光刻胶。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所;江苏云涌电子科技股份有限公司，其通讯地址为：200050 上海市长宁区长宁路865号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。