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中国人民解放军国防科技大学吴伟获国家专利权

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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种基于面形数据的谐振陀螺微米级间隙检测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115683024B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211354440.8,技术领域涉及:G01B21/16;该发明授权一种基于面形数据的谐振陀螺微米级间隙检测方法是由吴伟;贾永雷;潘瑶;刘芬;谭中奇;杨开勇;罗晖设计研发完成,并于2022-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于面形数据的谐振陀螺微米级间隙检测方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于面形数据的谐振陀螺微米级间隙检测方法,包括:S1、预定义谐振子A面、谐振子D面、平板电极B面和平板电极C面;S2、在谐振子和平板电极装配前,对谐振子和所述平板电极的尺寸数据进行测量并保存在数据库中;S3、在谐振子和平板电极装配过程中,对谐振子和平板电极端面面形及其位置误差进行实时检测,得到平板电极B面的面形数据、谐振子A面的面形数据以及A‑B面之间的位置误差;S4、根据谐振子和平板电极的编号,在数据库中查找到该平板电极B面和C面、谐振子A面和D面的面形数据及其位置误差;S5、通过预设的计算方法得到C‑D面的位置误差,即谐振陀螺的唇沿间隙。本发明易于实现,对检测传感器安装的位置误差不敏感。

本发明授权一种基于面形数据的谐振陀螺微米级间隙检测方法在权利要求书中公布了:1.一种基于面形数据的谐振陀螺微米级间隙检测方法,其特征在于,包括以下方法: S1、预定义谐振子A面为谐振子中心内支撑杆的端面,谐振子D面为谐振子壳体结构的端面,平板电极B面为平板电极在装配过程中远离谐振子的端面,平板电极C面为平板电极在装配过程中靠近谐振子的端面; S2、在谐振子和平板电极装配前,对所述谐振子和所述平板电极的尺寸数据进行测量并保存在数据库中,所述尺寸数据包括谐振子和平板电极的结构尺寸实测值、平板电极B面和C面、谐振子A面和D面的面形数据及其位置误差; S3、在谐振子和平板电极装配过程中,对所述谐振子和平板电极端面面形及其位置误差进行实时检测,得到平板电极B面的面形数据、谐振子A面的面形数据以及A-B面之间的位置误差; S4、根据所述谐振子和平板电极的编号,在所述数据库中查找到该平板电极B面和C面、谐振子A面和D面的面形数据及其位置误差; S5、基于谐振子和平板电极装配过程中误差的传递路线,根据D-A面的面形及其位置误差、A-B面的面形及其位置误差、B-C面的面形及其位置误差,通过预设的计算方法得到C-D面的位置误差,所述C-D面的位置误差为谐振子与平板电极之间的唇沿间隙及其分布; 所述步骤S4中预设的计算方法包括: 针对每个谐振子和平板电极,在圆柱侧面进行初始位置的标记,并以该初始位置为起点,对周向方向进行角度坐标位置的标定,建立XYZ的右手直角坐标系,并根据标记点确定Y轴,以Y轴为起始轴,逆时针方向为正,确定角度方位; 基于XYZ的右手直角坐标系,测量D-A面的面形Fd1r2,θ2、Fa1r1,θ1及其位置误差Hda1θ、A-B面的面形Fa2r3,θ3、Fb1r4,θ4及其位置误差Hab1θ、B-C面的面形Fb2r5,θ5、Fc1r6,θ6及其位置误差Hbc1θ,并分别建立相应的数据库; 根据公式计算C-D面的位置误差Hdc1θ=Hda1θ-Hab1θ-Hbc1θ,θ∈[0,360°)。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国人民解放军国防科技大学,其通讯地址为:410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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