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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种异质半导体器件陷阱参数的精确测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116047252B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310000308.5，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种异质半导体器件陷阱参数的精确测量方法是由潘世杰;冯士维;冯子璇;李轩;鲁晓庄;姚占武设计研发完成，并于2023-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质半导体器件陷阱参数的精确测量方法在说明书摘要公布了：一种异质半导体器件陷阱参数的精确测量方法涉及半导体器件可靠性领域。传统的利用陷阱释放过程中瞬态漏源电流变化来表征陷阱参数的方法忽视了测试条件引入的陷阱填充对于瞬态电流变化的影响，这部分影响被当作陷阱释放的一部分包含在瞬态曲线中，从而导致对于陷阱填充机理及陷阱幅值的错误分析。本申请针对这一瞬态电流曲线变化的测量误差提出了一种修正方法，在传统的瞬态电流曲线测试之前设计了表征测试条件导致的瞬态电流变化步骤，利用这一表征结果对最终的瞬态曲线变化进行校正。这种方法可以很好地修正测试条件对陷阱释放过程中瞬态电流变化的影响，获取更加准确的瞬态曲线变化，从而正确评估异质半导体器件内部陷阱参数及作用机理。

本发明授权一种异质半导体器件陷阱参数的精确测量方法在权利要求书中公布了：1.一种异质半导体器件陷阱参数的精确测量方法，其特征在于： 1）将被测器件置于温度为T1的温箱中并保持十五分钟，使得器件温度与温箱温度保持一致；对器件施加栅源电压VGS和漏源电压VDS作为测试电压，其中栅源电压VGS应大于器件阈值电压VTH，从而使得器件处于导通状态；监测测试电压条件下被测器件漏源电流随时间变化曲线直至电流稳定不变，测试电压施加时间记为t1，该测试电压条件下陷阱填充过程的瞬态电流响应记为Ids1； 2）将被测器件放置于温度为T1的温箱中并保持十五分钟；对器件施加恒定栅源电压VGF和漏源电压VDF作为填充电压，该漏源电压VDF应大于步骤1）中测试电压条件下漏源电压VDS，填充电压施加时间为t2；t2时间结束后对器件施加与步骤1）中相同的测试电压条件且保持偏置施加时间仍为t1，监测被测器件漏源电流随时间变化曲线，即可得到该测试电压条件下陷阱释放过程的瞬态电流响应Ids2； 3）将步骤2）和步骤1）所得的瞬态电流响应曲线相减Ids=Ids2-Ids1，即可排除测试电压条件导致的陷阱填充，从而得到完全由填充电压应力带来的陷阱释放过程对应的瞬态电流曲线Ids；通过结构函数法对该曲线进行分析处理，获得相应的时间常数谱，时间常数谱中峰值个数即为瞬态电流响应曲线中包含的陷阱数量，峰值对应的横坐标值即为陷阱对应的时间常数τ； 4）在不同温度下依次重复步骤1）和步骤2）的测试及处理过程，获取不同温度下陷阱释放过程对应的精确瞬态电流变化曲线；重复步骤3）的计算过程获取不同温度下陷阱的时间常数，绘制阿伦尼乌斯方程并通过拟合直线的斜率读取陷阱能级。

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