北京理工大学杨盛谊获国家专利权
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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利硅纳米线阵列的双异质结自驱动光电探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116113246B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310137533.3，技术领域涉及：H10K30/15；该发明授权硅纳米线阵列的双异质结自驱动光电探测器及制备方法是由杨盛谊;吴颖设计研发完成，并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅纳米线阵列的双异质结自驱动光电探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅纳米线阵列的双异质结自驱动光电探测器及制备方法从上至下分别为PEDOT:PSS顶电极乙二醇处理、PbSe量子点薄膜层、ZnO体材料薄膜层、硅纳米线阵列层和硅底电极。经过乙二醇处理的PEDOT:PSS电导率得到极大提升，作为器件的透明电极，降低入射光损耗；PbSeZnO和ZnOSi‑NWA双异质结拓宽了器件的光谱响应范围并加速光生激子的分离；硅纳米线阵列结构减少入射光反射；此外ZnO薄膜的引入相比于以前的Si‑NWPbSe简单结构，暗电流明显减小；所述结构可有效提高硅基光电探测器的探测性能。
本发明授权硅纳米线阵列的双异质结自驱动光电探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于硅纳米线阵列的双异质结自驱动红外光电探测器，其特征在于，该光电探测器包括PEDOT:PSS透明电极、PbSe量子点薄膜层、ZnO薄膜层、硅纳米线阵列以及平面硅基底电极； 多条硅纳米线构成的硅纳米线阵列垂直排布在平面单晶硅基底之上，即硅纳米线的下端直接在平面单晶硅基底的上表面通过金属辅助蚀刻生成；每条硅纳米线的外表面包覆有ZnO薄膜层；ZnO薄膜层外表面包覆有PbSe量子点薄膜层；然后，在PbSe量子点薄膜层上再制备一层PEDOT:PSS透明电极。
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